2026/05/09 更新

写真a

オオホリ　ダイスケ
大堀　大介
OHORI,Daisuke
所属
システム理工学部 准教授
職名
准教授

研究分野

  • ナノテク・材料 / ナノ構造物理

経歴

  • 関西大学   システム理工学部   准教授

    2026年4月 - 現在

  • 東北大学   流体科学研究所 統合流動科学国際研究教育センター グリーンナノテクノロジー研究分野   助教

    2024年1月 - 現在

  • 東北大学   流体科学研究所 統合流動科学国際研究教育センター グリーンナノテクノロジー研究分野   特任助教

    2021年1月 - 2023年12月

  • 台湾国立交通大学   博士研究員

    2020年3月 - 2020年12月

  • 東北大学   流体科学研究所 附属未到エネルギー研究センター グリーンナノテクノロジー研究分野   学術研究員

    2018年4月 - 2020年2月

  • 東北大学   流体科学研究所 附属未到エネルギー研究センター グリーンナノテクノロジー研究分野   研究研究員

    2017年4月 - 2018年3月

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論文

  • Thermal annealing–induced Ag/WO3/Ag plasmonic nanocavities for emission enhancement

    Shota Takahashi, Yusuke Takahashi, Takayuki Kiba, Midori Kawamura, Naofumi Ohtsu, Peng Sheng, Daisuke Ohori, Kazuhiko Endo

    Vacuum   2026年8月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.vacuum.2026.115381

  • Direct observation of half-cycle adsorption of aminosilane precursors by in situ XPS

    Yuki Tsuchiizu, Daisuke Ohori, Teruhisa Ohtsuka, Masashi Yamazaki, Hiroshi Arimoto, Kazuhiko Endo

    Journal of Vacuum Science & Technology A   2026年5月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1116/6.0005453

  • (Invited) Neutral Beam Etching of InGaN/GaN and AlGaInP for Full-Color Micro-LEDs: Surface Damage Mitigation and Etch Profile Control

    Daisuke Ohori, Xuelun Wang, Takahiro Kuribayashi, Kazuhiko Endo, Seiji Samukawa

    ECS Meeting Abstracts   2025年11月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1149/MA2025-02361747mtgabs

  • Effect of Film Morphology on Electrical Conductivity of PEDOT:PSS

    Aditya Saha, Daisuke Ohori, Takahiko Sasaki, Keisuke Itoh, Ryuji Oshima, Seiji Samukawa

    Nanomaterials   2023年12月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.3390/nano14010095

  • 3.5 × 3.5 μm2 GaN blue micro-light-emitting diodes with negligible sidewall surface nonradiative recombination

    Xuelun Wang, Xixi Zhao, Tokio Takahashi, Daisuke Ohori, Seiji Samukawa

    Nature Communications   2023年11月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1038/s41467-023-43472-z

  • Effect of Interfacial Oxide Layers on Self-Doped PEDOT/Si Hybrid Solar Cells 査読 国際誌

    Aditya Saha, Ryuji Oshima, Daisuke Ohori, Takahiko Sasaki, Hirokazu Yano, Hidenori Okuzaki, Takashi Tokumasu, Kazuhiko Endo, Seiji Samukawa

    Energies   16   6900-1 - 6900-14   2023年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.3390/en16196900

  • Hydrogen iodide (HI) neutral beam etching characteristics of InGaN and GaN for micro-LED fabrication

    Daisuke Ohori, Takahiro Ishihara, Xuelun Wang, Kazuhiko Endo, Tsau-Hua Hsieh, Yiming Li, Nobuhiro Natori, Kazuma Matsui, Seiji Samukawa

    Nanotechnology   2023年9月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1088/1361-6528/acd856

  • Lifetime of photoexcited carriers in space-controlled Si nanopillar/SiGe composite films investigated by a laser heterodyne photothermal displacement method

    Tomoki Harada, Daisuke Ohori, Kazuhiko Endo, Seiji Samukawa, Tetsuo Ikari, Atsuhiko Fukuyama

    Journal of Applied Physics   133 ( 12 )   2023年3月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/5.0146578

    Scopus

  • Enhancing the Performance of E-Mode AlGaN/GaN HEMTs With Recessed Gates Through Low-Damage Neutral Beam Etching and Post-Metallization Annealing

    Yi-Ho Chen, Daisuke Ohori, Muhammad Aslam, Yao-Jen Lee, Yiming Li, Seiji Samukawa

    IEEE Open Journal of Nanotechnology   2023年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/OJNANO.2023.3306011

  • Impact of nanopillars on phonon dispersion and thermal conductivity of silicon membranes

    Anufriev, R., Ohori, D., Wu, Y., Yanagisawa, R., Jalabert, L., Samukawa, S., Nomura, M.

    Nanoscale   15 ( 5 )   2023年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1039/d2nr06266f

    Scopus

  • Room-temperature and high-quality HfO2/SiO2 gate stacked film grown by neutral beam enhanced atomic layer deposition

    Beibei Ge, Daisuke Ohori, Yi-Ho Chen, Takuya Ozaki, Kazuhiko Endo, Yiming Li, Jenn-Hwan Tarng, Seiji Samukawa

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A   40 ( 2 )   2022年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1116/6.0001607

    Web of Science

    Scopus

  • Hydrogen Iodide (HI) Neutral Beam Etching for InGaN/GaN Micro-LED

    Takahiro Ishihara, Daisuke Ohori, Xuelun Wang, Kazuhiko Endo, Nobuhiro Natori, Daisuke Sato, Yiming Li, Seiji Samukawa

    Proceedings of the IEEE Conference on Nanotechnology   2022-July   48 - 51   2022年

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/NANO54668.2022.9928699

    Scopus

  • Selective atomic layer reaction between GaN and SiN in HBr neutral beam etching

    Daisuke Ohori, Takahiro Sawada, Kenta Sugawara, Masaya Okada, Ken Nakata, Kazutaka Inoue, Daisuke Sato, Seiji Samukawa

    Journal of Vacuum Science & Technology A   39 ( 4 )   042601 - 042601   2021年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1116/6.0000867

    Web of Science

    Scopus

  • Surface wettability of silicon nanopillar array structures fabricated by biotemplate ultimate top-down processes

    Sou Takeuchi, Daisuke Ohori, Masahiro Sota, Teruhisa Ishida, Yiming Li, Jenn Hwan Tarng, Kazuhiko Endo, Seiji Samukawa

    Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films   39 ( 2 )   2021年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1116/6.0000770

    Web of Science

    Scopus

  • Management of Phonon Transport in Lateral Direction for Gap-Controlled Si Nanopillar/SiGe Interlayer Composite Materials

    Daisuke Ohori, Min-Hui Chuang, Asahi Sato, Sou Takeuchi, Masayuki Murata, Atsushi Yamamoto, Ming-Yi Lee, Kazuhiko Endo, Yiming Li, Jenn-Hwan Tarng, Yao-Jen Lee, Seiji Samukawa

    IEEE OPEN JOURNAL OF NANOTECHNOLOGY   2   148 - 152   2021年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/OJNANO.2021.3131165

    Web of Science

    Scopus

  • Si Nanopillar/SiGe Composite Structure for Thermally Managed Nano-devices

    Daisuke Ohori, Masayuki Murata, Atsushi Yamamoto, Kazuhiko Endo, Min-Hui Chuang, Ming-Yi Lee, Yiming Li, Jenn-Hwan Tarng, Yao-Jen Lee, Seiji Samukawa

    2021 IEEE 21ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY (IEEE NANO 2021)   2021-July   199 - 202   2021年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/NANO51122.2021.9514289

    Web of Science

    Scopus

  • High Electron Mobility Germanium FinFET Fabricated by Atomic Layer Defect-Free and Roughness-Free Etching

    Daisuke Ohori, Takuya Fujii, Shuichi Noda, Wataru Mizubayashi, Kazuhiko Endo, Yao-Jen Lee, Jenn-Hwan Tarng, Yiming Li, Seiji Samukawa

    IEEE Open Journal of Nanotechnology   2   26 - 30   2021年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/ojnano.2021.3055150

    Web of Science

    Scopus

  • Surface wettability of nanopillar array structures fabricated by bio-template ultimate top-down processes

    Sou Takeuchi, Daisuke Ohori, Teruhisa Ishida, Mami Tanaka, Masahiro Sota, Yiming Li, Jenn-Hwan Tarng, Kazuhiko Endo, Seiji Sarnukawa

    2021 IEEE 21ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY (IEEE NANO 2021)   2021-July   203 - 206   2021年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/NANO51122.2021.9514287

    Web of Science

    Scopus

  • Fabrication and simulation of neutral-beam-etched silicon nanopillars

    Min Hui Chuang, Daisuke Ohori, Yiming Li, Kuan Ru Chou, Seiji Samukawa

    Vacuum   181   2020年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.vacuum.2020.109577

    Web of Science

    Scopus

  • High Performance GaN HEMT and Ge Fin FET Device Realizing by Atomic-layer Defect-free Etching with Chlorine Neutral Beam

    Daisuke Ohori, Niraj Man Shrestha, Yiming Li, Jenn Hwan Tarng, Seiji Samukawa

    2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA 2020   108 - 109   2020年8月

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/VLSI-TSA48913.2020.9203657

    Scopus

  • Decreasing of the thermal conductivity of Si nanopillar/SiGe composite films investigated by using a piezoelectric photothermal spectroscopy

    Tomoki Harada, Tsubasa Aki, Daisuke Ohori, Seiji Samukawa, Tetsuo Ikari, Atsuhiko Fukuyama

    Japanese Journal of Applied Physics   59   2020年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ab82a6

    Web of Science

    Scopus

  • High-quality nanodisk of InGaN/GaN MQWs fabricated by neutral-beam-etching and GaN regrowth: Towards directional micro-LED in top-down structure

    Kexiong Zhang, Tokio Takahashi, Daisuke Ohori, Guangwei Cong, Kazuhiko Endo, Naoto Kumagai, Seiji Samukawa, Mitsuaki Shimizu, Xuelun Wang

    Semiconductor Science and Technology   35 ( 7 )   2020年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1088/1361-6641/ab8539

    Web of Science

    Scopus

  • Coherent and Incoherent Impacts of Nanopillars on the Thermal Conductivity in Silicon Nanomembranes

    Xin Huang, Daisuke Ohori, Ryoto Yanagisawa, Roman Anufriev, Seiji Samukawa, Masahiro Nomura

    ACS Applied Materials and Interfaces   12 ( 22 )   25478 - 25483   2020年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1021/acsami.0c06030

    Web of Science

    Scopus

    PubMed

  • Atomic-layer etching of GaN by using an HBr neutral beam

    Daisuke Ohori, Takahiro Sawada, Kenta Sugawara, Masaya Okada, Ken Nakata, Kazutaka Inoue, Daisuke Sato, Hideyuki Kurihara, Seiji Samukawa

    Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films   38 ( 3 )   2020年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1116/6.0000126

    Web of Science

    Scopus

  • Numerical simulation of thermal conductivity of SiNW-SiGe<inf>0.3</inf> composite for thermoelectric applications

    Ming Yi Lee, Yiming Li, Min Hui Chuang, Daisuke Ohori, Seiji Samukawa

    IEEE Transactions on Electron Devices   67 ( 5 )   2088 - 2092   2020年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/TED.2020.2975079

    Web of Science

    Scopus

  • Highly Water-Repellent Nanostructure on Quartz Surface Based on Cassie-Baxter Model With Filling Factor 査読

    Daisuke Ohori, Sou Takeuchi, Masahiro Sota, Teruhisa Ishida, Yiming Li, Jenn-Hwan Tarng, Kazuhiko Endo, Seiji Samukawa

    IEEE Open Journal of Nanotechnology   1 ( 1 )   1 - 5   2020年3月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/ojnano.2020.2980629

    Web of Science

    Scopus

  • Growing low-temperature, high-quality silicon-dioxide films by neutral-beam enhanced atomic-layer deposition 査読

    Hua Hsuan Chen, Susumu Toko, Daisuke Ohori, Takuya Ozaki, Mitsuya Utsuno, Tomohiro Kubota, Toshihisa Nozawa, Seiji Samukawa

    Journal of Physics D: Applied Physics   53 ( 1 )   2020年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1088/1361-6463/ab484d

    Web of Science

    Scopus

  • High efficiency 100-nm-sized InGaN/GaN active region fabricated by neutral-beam-etching and GaN regrowth for directional micro-LED

    Kexiong Zhang, Tokio Takahashi, Daisuke Ohori, Guangwei Cong, Kazuhiko Endo, Naoto Kumagai, Seiji Samukawa, Mitsuaki Shimizu, Xuelun Wang

    2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)   2019年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    Web of Science

  • Radiative carrier recombination process in GaAs ND fabricated by bio-template and neutral beam etching embedded by AlGaAs

    A. Iwamoto, D. Ohori, Cedric Thomas, A. Higo, S. Samukawa, T. Ikari, A. Fukuyama

    Proceedings of the 17th Int. Symo. on Advanced Fluid Information   16 - 17   2016年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Effect of embedding process on photoluminescence spectra of GaAs quantum nanodisks fabricated by neutral beam nanoprocess 査読

    D. Ohori, K. Kondo, K. Sakai, C. Thomas, A. Higo, S. Samukawa, T. Ikari, A. Fukuyama

    European Materials Research Society 2016 Spring Meeting   2016年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/NANO.2016.7751347

  • Light emission from GaAs/AlGaAs nanopillars fabricated by neutral beam etching and bio-template 査読

    D. Ohori, A. Suzuki, C. Thomas, A. Higo, S. Samukawa, A. Fukuyama, T. Ikari

    The 2015 E-MRS Spring meeting   2015年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Photoluminescence study of quantum levels in GaAs/AlGaAs quantum nanodisks fabricated by bio-template and neutral beam etching 査読

    A. Fukuyama, D. Ohori, A. Suzuki, C. Thomas, A. Higo, S. Samukawa, T. Ikari

    The 2015 E-MRS Spring meeting   2015年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Photoluminescence of Ge nanodisk array structure fabricated by bio-template and neutral beam etching 査読

    D. Ohori, Y. Murayama, K. Kondo, T. Takuya, T. Okada, S. Samukawa, A. Fukuyama, T. Ikari

    Proceedings of the 14th Int. Symo. on Advanced Fluid Information   118 - 119   2014年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Effect of oxygen pressure on photoluminescence spectra and hall coefficients of Li-Ni Co-Doped ZnO films grown by a pulsed laser deposition

    K. Sakai, K. Ishikura, D. Ohori, D. Nakamura, A. Fukuyama, T. Okada, M. S. Ramachandra Rao, T. Ikari

    Springer Series in Materials Science   180   91 - 99   2014年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1007/978-81-322-1160-0_4

    Scopus

  • Photoconductivity Decay and Carrier Lifetime in Silicon Nanodisk Array Structure Fabricated by Using Bio-templates and Neutral Beam Etching 査読

    Daisuke Ohori, Atsuhiko Fukuyama, Seiji Samukawa, Tetsuo Ikari

    Proceedings of the 13th Int. Symo. on Advanced Fluid Information   96 - 97   2013年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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MISC

  • 中性粒子ビーム酸化により制御されたNb酸化膜厚が超伝導共振器性能に与える影響

    紺野太壱, 大堀大介, 日高睦夫, 野田周一, 遠藤和彦, 向井寛人, 向井寛人, 朝永顕成, 朝永顕成, TSAI J.S., TSAI J.S., 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   69th   2022年

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  • ナノピラー（NP）間隔を変化させたSi-NP/SiGe複合膜の熱および光学的特性評価

    安良田, 裕基, 原田, 知季, 森田, 浩右, 大堀, 大介, 寒川, 誠二, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦

    宮崎大学工学部紀要 = Miyazaki University Faculty of Engineering, University of Miyazaki   50   59 - 63   2021年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

    Thermoelectric (TE) devices have been attracted attention because of their importance in converting waste heat into electrical energy. Si-based materials are expected to use as low-cost TE devices. By introducing nanostructure into the TE materials, both low thermal (κ) and high electrical conductivities are required. We have succeeded to fabricate a highly periodic Si-nanopillars (NPs) structure embedded in Si0.7Ge0.3. Bio-template and Neutral-Beam Etching techniques enable us to fabricate the NPs of 10 nm diameter. In this study, we have prepared two samples with different NP spacing of 40 and 60 nm. Our preliminary 3 measurements showed that κ of 40 and 60 nm spacing samples were 2.6 and 2.8 W/mK, respectively. Then, these were 35% lower than that of SiGe bulk material. However, this method requires an electrode as thin as the composite film. This is very difficult to prepare and we should use an electrode of 10 m width. Therefore, another evaluation technique is necessary to estimate κ more accurately. Piezoelectric photothermal (PPT) measurements were carried out to study the effect of NPs spacing on the optical and thermal properties from the non-radiative recombination point of view. The observed PPT signal of the 40 nm spacing sample was 10 times smaller than that of the 60 nm spacing sample. Since the PPT signal depends on κ as well as optical absorption coefficient ( ), we carried out a theoretical calculation based on a one-dimensional heat propagation equation to estimate κ and . However, the calculated results gave us unexpectedly lower κ and higher. A detailed 3-dimensional heat propagation model including carrier diffusion of photo excited carriers should be considered.

  • HBr中性粒子ビームによるGaN/SiNの原子層選択エッチング

    澤田 尭廣, 大堀 大介, 菅原 健太, 岡田 政也, 中田 健, 井上 和孝, 佐藤 大輔, 寒川 誠二

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1   2443 - 2443   2021年2月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2443

  • 中性粒子ビーム加工による高移動度Ge FinFETの実現

    大堀 大介, 野田 周一, 藤井 卓也, 水林 亘, 遠藤 和彦, Li Yiming, Lee Yao-Jen, 尾崎 卓哉, 寒川 誠二

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1   2361 - 2361   2021年2月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2361

  • フェリチンの２次元配列におけるグリセロール含有溶媒の効果

    大堀 大介, 竹内 聡, 佐藤 旭, 石田 昌久, 曽田 匡洋, 田中 麻美, 遠藤 和彦, 寒川 誠二

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1   2307 - 2307   2021年2月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2307

  • 中性粒子ビームにより制御されたNb電極表面酸化膜が超伝導共振器に与える影響

    紺野太壱, 大堀大介, 日高睦夫, 野田周一, 遠藤和彦, 向井寛人, 朝永顕成, 朝永顕成, TSAI J.S., TSAI J.S., 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   82nd   2021年

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  • 中性粒子ビームプロセスによるNb表面酸化膜制御とQ値に与える影響

    紺野太壱, 大堀大介, 日高睦夫, 遠藤和彦, 向井寛人, TSAI J.S., TSAI J.S., 寒川誠二, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   68th   2021年

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  • 3J5-2 多層構造体の光熱変換信号理論の検討とSiナノピラー/SiGe複合膜への適用

    安良田 裕基, 原田 知季, 大堀 大介, 寒川 誠二, 碇 哲雄, 福山 敦彦

    超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集   41   n/a   2020年11月

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    記述言語：英語   出版者・発行元：特定非営利活動法人 超音波エレクトロニクス協会  

    DOI： 10.24492/use.41.0_3j5-2

  • 中性粒子ビームによる無欠陥原子層GaN加工

    澤田 尭廣, 大堀 大介, 菅原 健太, 岡田 政也, 佐藤 大輔, 栗原 秀行, 寒川 誠二

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.2   1886 - 1886   2020年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_1886

  • シリコンナノピラーの間隔変化による熱特性への影響

    原田 知季, 安良田 裕基, 大堀 大介, 寒川 誠二, 碇 哲雄, 福山 敦彦

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.2   2384 - 2384   2020年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_2384

  • 中性粒子ビームによるNb表面酸化膜組成がQ値に与える影響

    紺野太壱, 大堀大介, 日高睦夫, 遠藤和彦, 向井寛人, TSAI J.S., 寒川誠二, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   81st   2020年

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  • バイオテンプレート極限加工により作製したSiナノピラー構造設計による表面撥水性の制御

    竹内聡, 大堀大介, 石田昌久, 曽田匡洋, 遠藤和彦, 寒川誠二, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   67th   2020年

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  • 中性粒子ビームによるニオブ加工特性

    紺野太壱, 大堀大介, 日高睦夫, 遠藤和彦, 向井寛人, TSAI J.S., 寒川誠二, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   67th   2020年

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  • バイオテンプレート極限加工技術によって作製した石英上のナノピラー構造による撥水性の発現

    大堀大介, 竹内聡, 石田昌久, 曽田匡洋, 遠藤和彦, 寒川誠二, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   67th   2020年

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  • 中性粒子ビームによるGaN加工基礎特性

    澤田尭廣, 大堀大介, 菅原健太, 岡田政也, 井上和孝, 佐藤大輔, 栗原秀行, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   67th   2020年

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  • 脳型記憶集積システムと積層型アナログメモリ素子の研究

    森江隆, 寒川誠二, 山下健弥, 原田將敬, 大堀大介, 遠藤和彦, 大野武雄

    東北大学流体科学研究所共同利用・共同研究拠点流体科学国際研究教育拠点活動報告書   2018   2020年

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  • 1P1-8 光熱変換分光測定と多層膜計算によるSiナノピラー/SiGe複合膜の熱伝導率の解析

    原田 知季, 安藝 翼, 大堀 大介, 寒川 誠二, 碇 哲雄, 福山 敦彦

    超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集   40   n/a   2019年11月

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    記述言語：英語   出版者・発行元：特定非営利活動法人 超音波エレクトロニクス協会  

    DOI： 10.24492/use.40.0_1p1-8

  • Near-Complete Elimination of Size-Dependent Efficiency Decrease in GaN Micro-Light-Emitting Diodes

    Jun Zhu, Tokio Takahashi, Daisuke Ohori, Kazuhiko Endo, Seiji Samukawa, Mitsuaki Shimizu, Xue Lun Wang

    Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science   216 ( 22 )   1970075 - 1970075   2019年11月

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  • Atomic layer defect-free etching for germanium using HBr neutral beam

    Takuya Fujii, Daisuke Ohori, Shuichi Noda, Yosuke Tanimoto, Daisuke Sato, Hideyuki Kurihara, Wataru Mizubayashi, Kazuhiko Endo, Yiming Li, Yao Jen Lee, Takuya Ozaki, Seiji Samukawa

    Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films   37 ( 5 )   2019年9月

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    記述言語：英語  

    DOI： 10.1116/1.5100547

    Web of Science

    Scopus

  • Atomic layer germanium etching for 3D Fin-FET using chlorine neutral beam

    Daisuke Ohori, Takuya Fujii, Shuichi Noda, Wataru Mizubayashi, Kazuhiko Endo, En Tzu Lee, Yiming Li, Yao Jen Lee, Takuya Ozaki, Seiji Samukawa

    Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films   37 ( 2 )   2019年3月

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    記述言語：英語  

    DOI： 10.1116/1.5079692

    Web of Science

    Scopus

  • Siナノピラー間隔変化による熱伝導率・電気伝導率の独立制御

    大堀大介, 久保山瑛哲, 村田正行, 山本淳, 野村政宏, 遠藤和彦, 遠藤和彦, 寒川誠二, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   2019年

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  • ミニマル中性粒子ビームエッチング装置の開発

    大堀大介, 野田周一, 野沢善幸, LIAO B., 藤井竜介, 速水利泰, 門井幹夫, 石田昌久, 田中麻美, 曽田匡洋, 遠藤和彦, 遠藤和彦, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   2019年

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  • マスクレス超低損傷加工を実現するバイオテンプレート形成装置の開発

    門井幹夫, 石田昌久, 田中麻美, 曽田匡洋, 大堀大介, 野田周一, 野沢善幸, LIAO B., 藤井竜介, 速水利泰, 遠藤和彦, 遠藤和彦, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   2019年

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  • マスクレス超低損傷加工を実現する小型中性粒子ビームエッチング装置の開発

    野沢善幸, LIAO B., 藤井竜介, 速水利泰, 大堀大介, 野田周一, 門井幹夫, 石田昌久, 田中麻美, 曽田匡洋, 遠藤和彦, 遠藤和彦, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   2019年

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  • 塩素中性粒子ビームによる窒化ガリウム原子層エッチング

    菅原健太, 大堀大介, 井上和孝, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   66th   2881 - 2881   2019年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_2881

    J-GLOBAL

  • Siナノピラー構造の間隔制御することによるフォノン場制御とキャリア輸送特性に与える影響

    大堀大介, 久保山瑛哲, 村田正行, 山本淳, 野村政宏, 遠藤和彦, 遠藤和彦, 寒川誠二, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   66th   2019年

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  • 中性粒子ビームによるGe Fin構造の側壁エッチング特性の検討

    大堀大介, 野田周一, 藤井卓也, 水林亘, 遠藤和彦, 遠藤和彦, LEE En-Tzu, YIMING Li, LEE Yao-Jen, 尾崎卓哉, 寒川誠二, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   66th   2019年

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  • バイオテンプレート極限加工により作製した無欠陥配置制御Siナノピラー構造による表面撥水性の制御

    竹内聡, 大堀大介, 石田昌久, 田中麻美, 曽田匡洋, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   66th   2019年

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  • 中性粒子ビームエッチング法による高効率GaNマイクロLEDの作製

    ZHU J., 高橋言緒, 遠藤和彦, 大堀大介, 寒川誠二, 寒川誠二, 寒川誠二, WANG X.-L., WANG X.-L., WANG X.-L.

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   3522 - 3522   2019年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3522

    J-GLOBAL

  • HBr中性粒子ビームによるGe原子層無欠陥エッチングの検討

    大堀大介, 藤井拓也, 野田周一, 水林亘, 遠藤和彦, 遠藤和彦, LI Yiming, LEE Yao-Jen, 尾崎卓哉, 寒川誠二, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   2019年

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  • 塩素中性粒子ビームエッチングによるGaN HEMT高信頼化

    菅原健太, 岡田政也, 市川弘之, 井上和孝, 大堀大介, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   2019年

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  • バイオテンプレート極限加工により作製した配置制御Siナノピラー構造による表面撥水性の制御

    竹内聡, 大堀大介, 石田昌久, 田中麻美, 曽田匡洋, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   2019年

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  • 無欠陥Siナノピラー構造のキャリア再結合過程評価

    松田真輝, 大堀大介, 寒川誠二, 寒川誠二, 碇哲雄, 福山敦彦

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   79th   ROMBUNNO.21p‐PB4‐2 - 2983   2018年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_2983

    J-GLOBAL

  • 中性粒子ビームとバイオテンプレートを用いた高アスペクト比Siナノピラー構造の作製

    大堀大介, 遠藤和彦, 遠藤和彦, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   65th   ROMBUNNO.19p‐C204‐2 - 1848   2018年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_1848

    J-GLOBAL

  • 無欠陥配置制御Siナノピラー構造表面における撥水性の制御

    大堀大介, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   79th   ROMBUNNO.18p‐431B‐9 - 1569   2018年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1569

    J-GLOBAL

  • 無欠陥Siナノピラー構造によるフォノン場制御と高移動度キャリア輸送

    大堀大介, 久保山瑛哲, 山本淳, 村田正行, 遠藤和彦, 遠藤和彦, 寒川誠二, 寒川誠二, 寒川誠二

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   79th   ROMBUNNO.20p‐211A‐13   2018年

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    記述言語：日本語  

    J-GLOBAL

  • Photoluminescence emission from GaAs nanodisks in GaAs/AlGaAs nanopillar arrays fabricated by neutral beam etching

    Daisuke Ohori, Atsuhiko Fukuyama, Kentaro Sakai, Akio Higo, Cedric Thomas, Seiji Samukawa, Tetsuo Ikari

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 ( 5 )   50308 - 50308   2017年5月

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  • Photoluminescence emission from GaAs nanodisks in GaAs/AlGaAs nanopillar arrays fabricated by neutral beam etching

    Daisuke Ohori, Atsuhiko Fukuyama, Kentaro Sakai, Akio Higo, Cedric Thomas, Seiji Samukawa, Tetsuo Ikari

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 ( 5 )   2017年5月

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  • Photoluminescence emission from GaAs nanodisks in GaAs/AlGaAs nanopillar arrays fabricated by neutral beam etching

    Daisuke Ohori, Atsuhiko Fukuyama, Kentaro Sakai, Akio Higo, Cedric Thomas, Seiji Samukawa, Tetsuo Ikari

    Japanese Journal of Applied Physics   56 ( 5 )   2017年5月

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  • 超高効率太陽電池用量子ドット構造のバンド構造と光学的性質

    福山敦彦, 寒川誠二, 大堀大介, 碇哲雄, 久保田智宏, 岡田健, 肥後昭男

    東北大学流体科学研究所共同利用・共同研究拠点流体科学研究拠点活動報告書   2015   81‐82   2017年

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    記述言語：日本語  

    J-GLOBAL

  • 量子ナノディスクのバンド構造制御とデバイス応用

    福山敦彦, 寒川誠二, 大堀大介, 碇哲雄, 久保田智宏, 岡田健, 肥後昭男

    東北大学流体科学研究所共同利用・共同研究拠点流体科学国際研究教育拠点活動報告書   2016   31‐32   2017年

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    記述言語：日本語  

    J-GLOBAL

  • ナノピラー中のナノディスク配列による発光再結合の直径依存性

    大堀大介, 石塚史典, THOMAS Cedric, 寒川誠二, 碇哲雄, 福山敦彦

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.6a‐A404‐10   2017年

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    記述言語：日本語  

    J-GLOBAL

  • 液滴エピタキシー法により作製したGaAs QDsの発光再結合特性

    岩元杏里, 石塚史典, 大堀大介, 間野高明, 碇哲雄, 福山敦彦

    宮崎大学工学部紀要(Web)   46 ( 46 )   85‐88 (WEB ONLY) - 88   2017年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

    We investigated a radiative recombination in the self-assembled GaAs quantum dots (QDs) structure embedded by Al0.33Ga0.67As barrier material on the GaAs (311)A substrates formed by a droplet epitaxy method by using photoluminescence (PL) method. The quantum-well layer was inserted under the QDs structure to thicken the QDs height; hereafter we called an effective height (EH). The PL peak originated from QDs showed red-shift and increase in the signal intensity with increasing the thickness of EH. A full width at half maximum also narrowed. As the results, the radiative recombination within the inserted quantum well became dominant. From the temperature dependent PL measurements, the temperature coefficient estimated from the PL peak energy between 60 and 140 K for the QDs sample without quantum-well layer was steeper than thick EH samples. This implied that QDs had a considerable variation in the diameter. Since a QD with large diameter has a weak carrier confinement to lateral direction, photo- enerated carriers can escape from QDs and recombine within quantum-well layer. It is concluded that radiative recombination within quantum-well layer was dominant because of weak carrier confinement of present QD.

    J-GLOBAL

  • Investigation of carrier recombination process in top-down fabricated GaAs nano-disc array structure by photoluminescence measurements

    T. Ikari, D. Ohori, A. Higo, C. Thomas, S. Samukawa, K. Nishioka, A. Fukuyama

    Nanotechnology Materials and Devices Conference, NMDC 2016 - Conference Proceedings   2016年12月

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  • Photoluminescence emission from as-etched quantum nanodisks fabricated by bio-template and neutral beam etching process

    D. Ohori, K. Kondo, K. Sakai, A. Higo, C. Thomas, S. Samukawa, T. Ikari, A. Fukuyama

    16th International Conference on Nanotechnology - IEEE NANO 2016   321 - 322   2016年11月

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  • Optical properties of quantum energies in GaAs quantum nanodisks produced using a bio-nanotemplate and a neutral beam etching technique

    Daisuke Ohori, Atsuhiko Fukuyama, Cedric Thomas, Akio Higo, Seiji Samukawa, Tetsuo Ikari

    Japanese Journal of Applied Physics   55 ( 9 )   2016年9月

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  • Optical properties of quantum energies in GaAs quantum nanodisks produced using a bio-nanotemplate and a neutral beam etching technique

    Ohori Daisuke, Fukuyama Atsuhiko, Thomas Cedric, Higo Akio, Samukawa Seiji, Ikari Tetsuo

    Japanese Journal of Applied Physics   55 ( 9 )   92101 - 92101   2016年8月

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    出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

  • Optical properties of quantum energies in GaAs quantum nanodisks produced using a bio-nanotemplate and a neutral beam etching technique

    Ohori Daisuke, Fukuyama Atsuhiko, Thomas Cedric, Higo Akio, Samukawa Seiji, Ikari Tetsuo

    Jpn. J. Appl. Phys.   55 ( 9 )   2016年8月

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    出版者・発行元：Institute of Physics  

    We demonstrated that the lattice-matched GaAs quantum nanodisks (QNDs) embedded in an AlGaAs matrix were fabricated by our original top-down nanoprocess. Lattice-matched GaAs QNDs are very attractive in quantum cryptography because the spin relaxation time of QNDs might be longer than that of strained quantum dots. Quantum levels of QNDs were investigated by the photoluminescence (PL) technique. The minimum diameter and thickness of QNDs were 7 and 8 nm, respectively. PL peaks of QNDs at 1.64 and 1.66 eV were observed to be higher than that of multiple quantum wells (MQWs) observed at 1.57 eV. It is suggested that these peaks are due to the diameter distribution of QNDs. The calculated quantum levels were in good agreement with the present experimental results. The observation of the PL peaks from QNDs demonstrates that the quantum level is strongly confined not only in the perpendicular direction but also in the lateral direction.

  • フォトルミネッセンス法による加工 Si 基板上半極性 (1-101) 面 GaN薄膜の発光再結合特性評価

    杉原 圭二, 中野 真理菜, 岩元 杏里, 大堀 大介, 本田 善央, 天野 浩, 碇 哲雄, 福山 敦彦

    宮崎大學工學部紀要   45 ( 45 )   105 - 109   2016年7月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：宮崎大学工学部  

    We investigated the radiative recombination properties of semi-polar (11̅01)GaN films grown on patterned (001)Si substrate by using photoreflectance (PR) and photoluminescence (PL) spectroscopies. The X-ray diffraction (XRD) method was also used for investigating strain content. Estimated bandgap energy (Eg) by Kramers-Kronig transformation of PR spectrum showed about 35 meV lower energy side than that of polar (0001)GaN. It was found that the strain of growth direction (=[111]Si) did not exist from the XRD 2- scan. Therefore, reduction of Eg may be caused by the tensile strain along the [11̅0]Si or [112̅-]Si direction. From the low temperature PL and PR measurements, we could confirm the several radiative peaks caused by donor-bound exciton, acceptor-bound exciton, and donor-to-acceptor pair recombination.

    CiNii Books

  • フォトルミネッセンス法による加工Si基板上半極性(1-101)面GaN薄膜の発光再結合特性評価

    杉原圭二, 中野真理菜, 岩元杏里, 大堀大介, 本田善央, 天野浩, 碇哲雄, 福山敦彦

    宮崎大学工学部紀要(Web)   ( 45 )   105‐109 (WEB ONLY)   2016年

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    記述言語：日本語  

    J-GLOBAL

  • バイオテンプレート極限加工を用いたGaAs量子ナノディスクの発光再結合の温度依存性

    大堀大介, THOMAS Cedric, 肥後昭男, 寒川誠二, 寒川誠二, 碇哲雄, 福山敦彦

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   ROMBUNNO.16a‐P1‐11   2016年

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    記述言語：日本語  

    J-GLOBAL

  • 中性粒子ビームとバイオナノテンプレートを用いて作製したGaAs量子ナノディスクのキャリア再結合とその埋め込み効果

    近藤清文, 大堀大介, 境健太郎, THOMAS Cedric, 肥後昭男, 寒川誠二, 寒川誠二, 前田幸治, 碇哲雄, 福山敦彦

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd   2016年

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  • 半極性(1-101)面で成長させたGaN薄膜のバンドギャップ減少

    杉原圭二, 中野真理菜, 大堀大介, 碇哲雄, 福山敦彦, 天野浩, 本田善央

    応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web)   41   2015年

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  • バイオナノテンプレートマスクと中性粒子ビームを用いたGaAs量子ナノピラーの発光再結合過程

    大堀大介, 近藤清文, THOMAS Cedric, 肥後昭男, 寒川誠二, 碇哲雄, 福山敦彦

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   76th   2015年

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  • PR及びPL法によるシリコン基板上に成長させた窒化ガリウムの光学的特性に対する歪の影響

    元田雄大郎, 鈴木章生, 大堀大介, 福山敦彦, 本田善央, 山口雅史, 天野浩, 碇哲雄

    宮崎大学工学部紀要(Web)   42 ( 42 )   23 - 26   2013年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：宮崎大学  

    Non-doped (1-101)GaN and C-doped (1-101)GaN thin film samples were grown by a selective metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOVPE) method on 8˚off-oriented (001) Si substrate. In This study, we identify the E_g of the GaN thin films on Si substrate by photoreflectance (PR) and photoluminescence (PL) methods. From the fitting analysis to the obtained PR spectrum, the estimated values of critical energy (E_cr) of GaN film grown on Si substrate were approximately 1 meV lower than expected values for strain-free GaN bulk sumple. Exciton peak positions of non-doped and C-doped (1-101)GaN grown on Si substrate corresponded exactly to strain-free GaN bulk sample. These experimental results implied that the strain caused by the lattice mismuch between GaN and Si were relaxed in the GaN surface resion.

    J-GLOBAL

  • パルスレーザー堆積法により作製したLi,Ni-codoped ZnO薄膜のPLスペクトルの経時変化

    村山友基, 大堀大介, 境健太郎, 中村大輔, 岡田龍雄, RAMACHANDRA RAO M. S., 碇哲雄

    応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集   39   2013年

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  • パルスレーザー堆積法により作製したLi,Ni-codoped ZnO薄膜内に形成される不純物および欠陥準位がホール係数へ及ぼす影響

    大堀大介, 石倉健, 境健太郎, 中村大輔, 岡田龍雄, RAO M. S. R., 碇哲雄

    応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集   38   2012年

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  • パルスレーザー堆積法により作製したLi,Co-codoped ZnO薄膜の光学特性

    石倉健, 境健太郎, 大堀大介, 碇哲雄, KUMAR J.

    応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集   38   2012年

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  • 視覚と聴覚を遮蔽された人の歩行軌跡の曲率解析

    林寧生, 反町直弘, 大堀大介, 清水孝浩, 小幡常啓

    電子情報通信学会大会講演論文集   2010   202   2010年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    CiNii Books

    J-GLOBAL

  • 視覚障害者のリングワンダリング

    林寧生, 大堀大介, 清水孝浩, 小幡常啓

    電子情報通信学会大会講演論文集   2010   201   2010年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    CiNii Books

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産業財産権

  • 半導体装置の製造方法

    菅原 健太, 寒川 誠二, 大堀 大介

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    出願人：住友電気工業株式会社, 国立大学法人東北大学

    出願番号：特願2020-026568  出願日：2020年2月

    公開番号：特開2021-132118  公開日：2021年9月

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  • フェリチン用リンス液

    寒川誠二, 大堀大介, 門井幹夫

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    出願人：株式会社 東北テクノアーチ, リソテック ジャパン株式会社

    出願番号：特願2019-160097  出願日：2019年9月

    公開番号：特開2021-038310  公開日：2021年3月

    J-GLOBAL

  • 成形型及びレンズ

    寒川 誠二, 大堀 大介

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    出願人：株式会社 東北テクノアーチ, 長瀬産業株式会社

    出願番号：JP2019034281  出願日：2019年8月

    公表番号：WO2020-045668  公表日：2020年3月

    J-GLOBAL

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 低電流密度・高輝度赤色マイクロLED加工のためのAlGaInP加工特性に関する研究

    研究課題/領域番号：24K22948  2024年7月 - 2026年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  研究活動スタート支援

    大堀 大介

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    配分額：2730000円 （ 直接経費：2100000円 、 間接経費：630000円 ）

  • 無欠陥ナノ周期構造によるフォノン場制御を用いた高移動度半導体素子

    研究課題/領域番号：20H05649  2020年8月 - 2025年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(S)

    寒川 誠二, 大堀 大介, 福山 敦彦, 野村 政宏, 太田 裕之, 遠藤 和彦

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    配分額：195000000円 （ 直接経費：150000000円 、 間接経費：45000000円 ）

    研究代表者・東北大・寒川GrはSi NP構造を埋め込むためのSiGeに対して着目し、成長させる際の基板表面がSiまたはSiO2によって、歪み・緩和の観点から膜質評価と表面粗さの違いを調査した。その結果、成長表面の違いが成長後の表面粗さに大きな影響があることがわかり、さらに結晶性や転位密度が変化することがわかった。さらに、SiGe再成長において、キャリアガスである水素の高純度化がSiGe膜への結晶性を左右させることが示唆された。これは、Si NPをSiGeで埋め込み後に、複合膜構造全体の電子・正孔移動度へ影響することが予想される重要な知見となった。これらの知見から、最終年度へ向けたデバイス構造の試作を開始した。研究分担者・産総研・太田(旧遠藤)Grは、SiGe/Si構造に対してデバイス試作を行い、ゲート絶縁膜、ゲート電極形成、およびアニール条件を検討した。その結果、平坦膜と併せてSiGe/Siトランジスタの作製に成功した。研究分担者・東京大学・野村Grは、フォノニック結晶系におけるフォノン輸送計算を継続し、フォノン散乱界面の間隔を制御することによるフォノンの振る舞いを明らかとした。さらに、フォノニック結晶中における電子-フォノン散乱を含んだ電子輸送の計算モデル構築を開始した。研究分担者・宮崎大学・福山Grは、ナノオーダーステージを自動制御することで検出レーザー照射位置を移動させることで、キャリア・熱伝導の両方の観点から、寒川Grによって作製したSi NP/SiGe複合膜のキャリアライフタイムの違いが、Si NPの間隔によって変化することが明らかとなった。さらに、電場印可を行った試料に対してレーザーヘテロダイン法を用いて評価ができるようになった。