2025/09/15 更新

写真a

ヤマモト マヒト
山本 真人
YAMAMOTO,Mahito
所属
システム理工学部 准教授
職名
准教授
外部リンク

学位

  • Ph.D. (Physics) ( 2013年7月 )

研究キーワード

  • 急峻スロープトランジスタ

  • 相転移材料

  • 二次元材料

  • ナノ材料

  • 表面物理

  • 強相関酸化物

  • ファンデルワールスヘテロ構造

  • 二酸化バナジウム

  • 六方晶窒化ホウ素

  • 遷移金属ダイカルコゲナイド

  • グラフェン

  • メモリ

  • センサー

研究分野

  • 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器  / トランジスタ、センサー、メモリ

学歴

  • メリーランド大学   物理学科

    2008年8月 - 2013年7月

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  • 大阪大学   工学研究科   精密科学・応用物理学専攻

    2006年4月 - 2008年3月

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  • 大阪大学   工学部   応用自然科学科

    2002年4月 - 2006年3月

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経歴

  • 関西大学   システム理工学部 物理・応用物理学科   准教授

    2021年4月 - 現在

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  • 関西大学   システム理工学部 物理・応用物理学科   助教

    2020年4月 - 2021年3月

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  • 大阪大学   産業科学研究所   助教

    2016年4月 - 2020年3月

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  • 物質・材料研究機構   国際ナノアーキテクトニクス研究拠点   博士研究員

    2013年8月 - 2016年3月

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  • メリーランド大学   物理学科   リサーチアシスタント

    2008年8月 - 2013年7月

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所属学協会

論文

  • Integration of freestanding hafnium zirconium oxide membranes into two-dimensional transistors as a high-κ ferroelectric dielectric

    Che-Yi Lin, Bo-Cia Chen, Yu-Chen Liu, Shang-Fu Kuo, Hsien-Chi Tsai, Yuan-Ming Chang, Chang-Yang Kuo, Chun-Fu Chang, Jyun-Hong Chen, Ying-Hao Chu, Mahito Yamamoto, Chang-Hong Shen, Yu-Lun Chueh, Po-Wen Chiu, Yi-Chun Chen, Jan-Chi Yang, Yen-Fu Lin

    Nature Electronics   8 ( 7 )   560 - 570   2025年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Springer Science and Business Media LLC  

    DOI: 10.1038/s41928-025-01398-y

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    その他リンク: https://www.nature.com/articles/s41928-025-01398-y

  • Signature of Dirac Fermion injection from hole-doped graphene into two-dimensional semiconductors 査読

    Sei Hosomi, Shuta Honda, Mitsuru Inada, Shingo Sato, Hiroshi Tani, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Keiji Ueno, Mahito Yamamoto

    Science and Technology Reports of Kasai University   67   13 - 18   2025年3月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(大学,研究機関等紀要)  

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  • Spatial and reconfigurable control of photoluminescence from single-layer MoS2 using a strained VO2-based Fabry–Pérot cavity

    Koyo Nakayama, Shota Toida, Takahiko Endo, Mitsuru Inada, Shingo Sato, Hiroshi Tani, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Keiji Ueno, Yasumitsu Miyata, Kazunari Matsuda, Mahito Yamamoto

    Applied Physics Letters   125 ( 22 )   2024年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    We investigated the photoluminescence (PL) from single-layer MoS2 on VO2 platelets grown on SiO2, where the insulating and metallic phases can coexist above a bulk transition temperature of 340 K, due to the inhomogeneous strain. We found that the intensity of PL from MoS2 on metallic VO2 is higher than that on the insulating counterpart, resulting in spatially varying PL even at the sub-micrometer scale. In contrast to the intensity, the PL peak energies were observed to be nearly identical on insulating and metallic VO2, indicating that the influences of charge transfer, strain, and dielectric screening on MoS2 are comparable, regardless of the phase state. Thus, the observed difference in PL intensity is due to the difference in refractive indices of insulating and metallic VO2, leading to the phase-dependent Fabry–Pérot interference effect. We performed numerical simulations for the emission from MoS2 supported on the VO2-based Fabry–Pérot interferometer. The calculated emission intensity ratio on insulating and metallic VO2 well reproduces the experimental observations. These results suggest a strategy for controlling PL from two-dimensional semiconductors in a spatial and reconfigurable manner.

    DOI: 10.1063/5.0236517

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  • A reconfigurable transistor and memory based on a two-dimensional heterostructure and photoinduced trapping

    Meng-Yu Tsai, Chia-Tse Huang, Che-Yi Lin, Mu-Pai Lee, Feng-Shou Yang, Mengjiao Li, Yuan-Ming Chang, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Ching-Hwa Ho, Wen-Wei Wu, Mahito Yamamoto, Jiunn-Lin Wu, Po-Wen Chiu, Yen-Fu Lin

    Nature Electronics   6 ( 10 )   755 - 764   2023年9月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Springer Science and Business Media LLC  

    DOI: 10.1038/s41928-023-01034-7

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    その他リンク: https://www.nature.com/articles/s41928-023-01034-7

  • Diffused Beam Energy to Dope van der Waals Electronics and Boost Their Contact Barrier Lowering

    Che-Yi Lin, Mu-Pai Lee, Yuan-Ming Chang, Yi-Tang Tseng, Feng-Shou Yang, Mengjiao Li, Jiann-Yeu Chen, Ciao-Fen Chen, Meng-Yu Tsai, Yi-Chun Lin, Keiji Ueno, Mahito Yamamoto, Shun-Tsung Lo, Chen-Hsin Lien, Po-Wen Chiu, Kazuhito Tsukagoshi, Wen-Wei Wu, Yen-Fu Lin

    ACS Applied Materials & Interfaces   14 ( 36 )   41156 - 41164   2022年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society (ACS)  

    DOI: 10.1021/acsami.2c07679

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  • Step-like resistance changes in VO2 thin films grown on hexagonal boron nitride with <i>in situ</i> optically observable metallic domains

    Shingo Genchi, Mahito Yamamoto, Takuya Iwasaki, Shu Nakaharai, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Yutaka Wakayama, Hidekazu Tanaka

    Applied Physics Letters   120 ( 5 )   2022年1月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    Vanadium dioxide (VO2) thin films grown on hexagonal boron nitride (hBN) flakes show three orders of magnitude resistance change due to metal–insulator transition (MIT). The MIT property of VO2 thin films is strongly dependent on the metallic domain size, which should be identified to derive the resistance change owing to the single metallic domain. In this study, we investigated the relationship between the metallic domain size and the device-size-dependent MIT property of VO2 thin films grown on hBN. We observed by temperature-dependent Raman spectroscopy and optical microscopy the emergence of the metallic domains and determined the metallic domain size in VO2 thin films grown on hBN. The metallic domain size of the VO2 thin films grown on hBN was determined to be ∼500 nm on average in length and up to sub-micrometer scale. Electric transport measurements revealed that VO2/hBN microwires exhibit multi-level step-like resistivity changes that change by one to two orders when the length and width are ∼2 μm owing to the confined metallic domains in the micrometer scale. Our results open a way for VO2 devices, showing a steep and large resistance change even in the micrometer scale.

    DOI: 10.1063/5.0072746

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  • Electrostatic potential measurement at the Pt/TiO2 interface using electron holography

    Hiroshi Nakajima, Toshiaki Tanigaki, Takaaki Toriyama, Mahito Yamamoto, Hidekazu Tanaka, Yasukazu Murakami

    Journal of Applied Physics   129 ( 17 )   174304 - 174304   2021年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/5.0046501

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  • Barrier Formation at the van der Waals Contacts of Vanadium Dioxide and Transition Metal Dichalcogenides 査読

    Mahito Yamamoto, Ryo Nouchi, Teruo Kanki, Shu Nakaharai, Azusa Hattori, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Yutaka Wakayama, Keiji Ueno, Hidekazu Tanaka

    ACS Applied Materials & Intefaces   11   36871 - 36879   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsami.9b13763

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  • Broad range thickness identification of hexagonal boron nitride by colors 査読

    Yuto Anzai, Mahito Yamamoto, Shingo Genchi, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Hidekazu Tanaka

    Applied Physics Express   12 ( 5 )   055007   2019年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1882-0786/ab0e45

    Scopus

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  • Growth of vanadium dioxide thin films on hexagonal boron nitride flakes as transferrable substrates 査読

    Shingo Genchi, Mahito Yamamoto, Koji Shigematsu, Shodai Aritomi, Ryo Nouchi, Teruo Kanki, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Yasukazu Murakami, Hidekazu Tanaka

    Scientific Reports   9 ( 1 )   3857   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Gate-Tunable Thermal Metal-Insulator Transition in VO2 Monolithically Integrated into a WSe2 Field-Effect Transistor 査読

    Mahito Yamamoto, Ryo Nouchi, Teruo Kanki, Azusa N Hattori, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Keiji Ueno, Hidekazu Tanaka

    ACS applied materials & interfaces   11 ( 3 )   3224 - 3230   2019年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Correlation between Ni Valence and Resistance Modulation on a SmNiO3 Chemical Transistor 査読

    Daiki Kawamoto, Azusa N Hattori, Mahito Yamamoto, Xin Liang Tan, Ken Hattori, Hiroshi Daimon, Hidekazu Tanaka

    ACS Applied Electronic Materials   1 ( 1 )   82 - 87   2018年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Layer-by-Layer Oxidation Induced Electronic Properties in Transition-Metal Dichalcogenides 査読

    Das Soumya Ranjan, Wakabayashi Katsunori, Yamamoto Mahito, Tsukagoshi Kazuhito, Dutta Sudipta

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   122 ( 29 )   17001 - 17007   2018年7月

  • Pronounced photogating effect in atomically thin WSe2 with a self-limiting surface oxide layer 査読

    Mahito Yamamoto, Keiji Ueno, Kazuhito Tsukagoshi

    Applied Physics Letters   112 ( 18 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5030525

    Web of Science

    Scopus

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  • Virtual substrate method for nanomaterials characterization 査読

    Bo Da, Jiangwei Liu, Mahito Yamamoto, Yoshihiro Ueda, Kazuyuki Watanabe, Nguyen Thanh Cuong, Songlin Li, Kazuhito Tsukagoshi, Hideki Yoshikawa, Hideo Iwai, Shigeo Tanuma, Hongxuan Guo, Zhaoshun Gao, Xia Sun, Zejun Ding

    NATURE COMMUNICATIONS   8   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/ncomms15629

    Web of Science

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  • Measuring the Complex Optical Conductivity of Graphene by Fabry-Perot Reflectance Spectroscopy 査読

    Behnood G. Ghamsari, Jacob Tosado, Mahito Yamamoto, Michael S. Fuhrer, Steven M. Anlage

    SCIENTIFIC REPORTS   6   2016年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/srep34166

    Web of Science

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  • Carrier Polarity Control in alpha-MoTe2 Schottky Junctions Based on Weak Fermi-Level Pinning 査読

    Shu Nakaharai, Mahito Yamamoto, Keiji Ueno, Kazuhito Tsukagoshi

    ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES   8 ( 23 )   14732 - 14739   2016年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsami.6b02036

    Web of Science

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  • Self-Limiting Oxides on WSe2 as Controlled Surface Acceptors and Low-Resistance Hole Contacts 査読

    Mahito Yamamoto, Shu Nakaharai, Keiji Ueno, Kazuhito Tsukagoshi

    NANO LETTERS   16 ( 4 )   2720 - 2727   2016年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b00390

    Web of Science

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  • Origin of Noise in Layered MoTe2 Transistors and its Possible Use for Environmental Sensors 査読

    Yen-Fu Lin, Yong Xu, Che-Yi Lin, Yuen-Wuu Suen, Mahito Yamamoto, Shu Nakaharai, Keiji Ueno, Kazuhito Tsukagoshi

    ADVANCED MATERIALS   27 ( 42 )   6612 - +   2015年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adma.201502677

    Web of Science

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  • Electrostatically Reversible Polarity of Ambipolar alpha-MoTe2 Transistors 査読

    Shu Nakaharai, Mahito Yamamoto, Keiji Ueno, Yen-Fu Lin, Song-Lin Li, Kazuhito Tsukagoshi

    ACS NANO   9 ( 6 )   5976 - 5983   2015年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsnano.5b00736

    Web of Science

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  • Double resonance Raman modes in monolayer and few-layer MoTe2 査読

    Huaihong Guo, Teng Yang, Mahito Yamamoto, Lin Zhou, Ryo Ishikawa, Keiji Ueno, Kazuhito Tsukagoshi, Zhidong Zhang, Mildred S. Dresselhaus, Riichiro Saito

    PHYSICAL REVIEW B   91 ( 20 )   2015年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.91.205415

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  • Self-Limiting Layer-by-Layer Oxidation of Atomically Thin WSe2 査読

    Mahito Yamamoto, Sudipta Dutta, Shinya Aikawa, Shu Nakaharai, Katsunori Wakabayashi, Michael S. Fuhrer, Keiji Ueno, Kazuhito Tsukagoshi

    NANO LETTERS   15 ( 3 )   2067 - 2073   2015年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/nl5049753

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  • Thickness Scaling Effect on Interfacial Barrier and Electrical Contact to Two-Dimensional MoS2 Layers 査読

    Song-Lin Li, Katsuyoshi Komatsu, Shu Nakaharai, Yen-Fu Lin, Mahito Yamamoto, Xiangfeng Duan, Kazuhito Tsukagoshi

    ACS NANO   8 ( 12 )   12836 - 12842   2014年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/nn506138y

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  • Spin injection and detection in a graphene lateral spin valve using an yttrium-oxide tunneling barrier 査読

    Katsuyoshi Komatsu, Shinya Kasai, Song-Lin Li, Shu Nakaharai, Nobuhiko Mitoma, Mahito Yamamoto, Kazuhito Tsukagoshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   7 ( 8 )   2014年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.7.085101

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  • Ambipolar MoTe2 Transistors and Their Applications in Logic Circuits 査読

    Yen-Fu Lin, Yong Xu, Sheng-Tsung Wang, Song-Lin Li, Mahito Yamamoto, Alex Aparecido-Ferreira, Wenwu Li, Huabin Sun, Shu Nakaharai, Wen-Bin Jian, Keiji Ueno, Kazuhito Tsukagoshi

    ADVANCED MATERIALS   26 ( 20 )   3263 - +   2014年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adma.201305845

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  • Strong Enhancement of Raman Scattering from a Bulk-Inactive Vibrational Mode in Few-Layer MoTe2 査読

    Mahito Yamamoto, Sheng Tsung Wang, Meiyan Ni, Yen-Fu Lin, Song-Lin Li, Shinya Aikawa, Wen-Bin Jian, Keiji Ueno, Katsunori Wakabayashi, Kazuhito Tsukagoshi

    ACS NANO   8 ( 4 )   3895 - 3903   2014年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/nn5007607

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  • Anisotropic Etching of Atomically Thin MoS2 査読

    Mahito Yamamoto, Theodore L. Einstein, Michael S. Fuhrer, William G. Cullen

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   117 ( 48 )   25643 - 25649   2013年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/jp410893e

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  • "The Princess and the Pea" at the Nanoscale: Wrinkling and Delamination of Graphene on Nanoparticles 査読

    Mahito Yamamoto, Olivier Pierre-Louis, Jia Huang, Michael S. Fuhrer, Theodore L. Einstein, William G. Cullen

    PHYSICAL REVIEW X   2 ( 4 )   2012年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevX.2.041018

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  • Charge Inhomogeneity Determines Oxidative Reactivity of Graphene on Substrates 査読

    Mahito Yamamoto, Theodore L. Einstein, Michael S. Fuhrer, William G. Cullen

    ACS NANO   6 ( 9 )   8335 - 8341   2012年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/nn303082a

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  • Modeling noncontact atomic force microscopy resolution on corrugated surfaces 査読

    Kristen M. Burson, Mahito Yamamoto, William G. Cullen

    BEILSTEIN JOURNAL OF NANOTECHNOLOGY   3   230 - 237   2012年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3762/bjnano.3.26

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  • HIGH RESOLUTION MICROSCOPY OF SIO2 AND THE STRUCTURE OF SIO2-SUPPORTED GRAPHENE 査読

    Kristen M. Burson, Mahito Yamamoto, William G. Cullen

    PROCEEDINGS OF THE ASME INTERNATIONAL DESIGN ENGINEERING TECHNICAL CONFERENCES AND COMPUTERS AND INFORMATION IN ENGINEERING CONFERENCE, VOL 7   551 - 555   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1115/DETC2011-48737

    Web of Science

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  • High-Fidelity Conformation of Graphene to SiO2 Topographic Features 査読

    W. G. Cullen, M. Yamamoto, K. M. Burson, J. H. Chen, C. Jang, L. Li, M. S. Fuhrer, E. D. Williams

    PHYSICAL REVIEW LETTERS   105 ( 21 )   215504   2010年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevLett.105.215504

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  • Anomalous decay of multilayer holes on SrTiO3(001) 査読

    Mahito Yamamoto, Koichi Sudoh, Hiroshi Iwasaki, Ellen D. Williams

    PHYSICAL REVIEW B   82 ( 11 )   2010年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.82.115436

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  • Decay of multilayer holes on SrTiO3(001) 査読

    M. Yamamoto, K. Sudoh, H. Iwasaki

    SURFACE SCIENCE   601 ( 5 )   1255 - 1258   2007年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.susc.2006.12.036

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書籍等出版物

  • 半導体・磁性体・電池の固/固界面制御と接合・積層技術

    山本 真人( 担当: 分担執筆 範囲: 第3節 2次元半導体応用のための界面・表面制御)

    S&T出版  2024年6月 

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  • System-Materials Nanoarchitectonics

    Mahito Yamamoto, Kazuhito Tsukagoshi( 担当: 分担執筆 範囲: Growth and Electronic and Optoelectronic Applications of Surface Oxides on Atomically Thin WSe2)

    Springer Nature  2022年 

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  • 酸化物・原子層物質ハイブリッドによる新奇デバイスの創製

    山本 真人, 田中 秀和

    金属  2018年2月 

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  • カルコゲナイド系層状物質の最新研究

    山本 真人( 担当: 分担執筆 範囲: 第8章 遷移金属ダイカルコゲナイドのラマン分光)

    シーエムシー出版  2016年7月 

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講演・口頭発表等

  • Transfer characteristics of transition metal dichalcogenide transistors with VO2 contacts

    YAMAMOTO,Mahito, NOUCHI, RYO, KANKI, Teruo, NAKAHARAI, Shu, HATTORI, Azusa, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi, WAKAYAMA, Yutaka, UENO, Keiji, TANAKA, Hidekazu

    Recent Progress on Graphene and 2D Materials Research 2019  2019年10月 

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    開催地:Matsue, Japan  

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  • Phase transition FETs based on two-dimensional WSe2 with VO2 contacts

    YAMAMOTO,Mahito, NOUCHI, Ryo, KANKI, Teruo, NAKAHARAI, Shu, HATTORI, Azusa, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi, WAKAYAMA, Yutaka, UENO, Keiji, TANAKA, Hidekazu

    26th INTERNATIONAL WORKSHOP ON OXIDE ELECTRONICS  2019年10月 

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    開催地:Kyoto, Japan  

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  • Carrier injection from VO2 into MoS2 and WSe2

    YAMAMOTO,Mahito, NOUCHI, Ryo, KANKI, Teruo, HATTORI, Azusa, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi, UENO, Keiji, TANAKA, Hidekazau

    2019 Annual Meeting of the Physical Society of Taiwan  2019年1月 

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    開催地:Hsinchu, Taiwan  

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  • Steep-slope transistors based on 2D semiconductors contacted with the phase-change material VO2

    YAMAMOTO,Mahito, KANKI, Teruo, HATTORI, Azusa, NOUCHI, Ryo, WATANEBE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi, UENO, Keiji, TANAKA, Hidekazau

    2018 MRS Spring Meeting and Exhibit  2018年4月 

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    開催地:Phoenix, USA  

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  • Non-thermionic switching in an atomically thin WSe2 transistor with the phase-change material VO2 contact

    YAMAMOTO,Mahito, KANKI, Teruo, HATTORI, Azusa, NOUCHI, Ryo, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi, UENO, Keiji, TANAKA, Hidekazau

    APS March Meeting  2018年3月 

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    開催地:Los Angeles, USA  

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受賞

  • 第39回応用物理学会講演奨励賞

    2016年3月   応用物理学会   WSe2原子層の層数制御酸化

    山本 真人

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共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 強相関ゲート二次元半導体FETの創製

    研究課題/領域番号:24H01206  2024年4月 - 2026年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  学術変革領域研究(A)

    山本 真人

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    配分額:7020000円 ( 直接経費:5400000円 、 間接経費:1620000円 )

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  • 二次元強相関酸化物の創製とファンデルワールスヘテロ構造デバイスへの展開

    研究課題/領域番号:22H05472  2022年6月 - 2024年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  学術変革領域研究(A)

    山本 真人

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    配分額:6760000円 ( 直接経費:5200000円 、 間接経費:1560000円 )

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  • 二次元物質で紡ぐモノリシック相転移振動子ネットワーク

    研究課題/領域番号:22K18816  2022年6月 - 2024年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  挑戦的研究(萌芽)

    山本 真人

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    配分額:6370000円 ( 直接経費:4900000円 、 間接経費:1470000円 )

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  • 遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を酸化前駆体とする機能性酸化物超薄膜の創出

    研究課題/領域番号:23K23182  2022年4月 - 2026年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    山本 真人, 上野 啓司, 麻生 亮太郎

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    配分額:17290000円 ( 直接経費:13300000円 、 間接経費:3990000円 )

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  • 神経模倣コンピュータ応用に向けた超低消費電力二次元材料不揮発性メモリの創出

    2022年 - 2024年

    科学技術振興機構  国際的な科学技術共同研究などの推進 国際科学技術協力基盤整備事業 台湾 

    山本 真人

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    担当区分:研究代表者 

    本研究は、将来的な神経模倣コンピュータへの応用展開を視野に入れ、二次元材料を基盤とする超低消費電力不揮発性メモリの創出を目指すものである。日本側チームは欠陥制御された二次元材料を用いた電荷トラップメモリ、および超低消費電力性を有するトンネル電界効果トランジスタ(FET)の開発を主に行う。一方、台湾側チームは化学制御された二次元材料トラップを用いたメモリの開発とトンネルFETの低消費電力動作実証を行う。各チームの研究によって得られた知見や技術を共有・統合することで、神経模倣コンピュータ実装に資する超低消費電力電荷トラップメモリの効果的開発とそのシナプスデバイス集積化を推進する。両チームによる共同研究を通して、二次元材料メモリに基づく神経模倣コンピュータの将来的な実用展開が期待される。

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  • モノリシック型相転移トランジスタの高性能化と論理回路への応用

    2019年4月 - 2021年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 若手研究 

    山本 真人

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

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  • 強相関酸化物/原子薄膜半導体ヘテロ構造の創成と急峻スロープトランジスタ応用

    2017年4月 - 2019年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 若手研究(B) 

    山本 真人

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

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社会貢献活動

  • 応用物理学会トータルバイオミメティクス研究グループ庶務幹事

    2020年

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  • Nature Publishing Group Scientific Reports, Editorial Board Member

    2019年

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  • The 16th International Symposium on Sputtering & Plasma Process 実行委員

    2019年

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