2026/01/07 更新

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ホンダ シュウタ
本多 周太
HONDA,Shuta
所属
システム理工学部 教授
職名
教授
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所属学協会

委員歴

  • 編集委員  

    2017年6月 - 2020年3月   

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  • 論文委員  

    2015年6月 - 2017年5月   

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論文

  • Domain wall diode in ferromagnetic pillars with asymmetrically stacked perpendicular anisotropy

    Syuta Honda, Hiroto Naka, Riku Imamura, Hiroyoshi Itoh, Yoshiaki Sonobe, Tomokatsu Ohsawa

    Journal of Physics D: Applied Physics   2026年1月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/ae2c08

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  • Magnetic structure of high-order skyrmion number produced in a nanodisk via micromagnetic simulation with long-range dipole-dipole interaction

    Syuta Honda, Hideto Tsuzuki, Hiroyoshi Itoh, Tomokatsu Ohsawa

    Physical Review B   2025年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/rq13-j8w5

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  • Signature of Dirac Fermion injection from hole-doped graphene into two-dimensional semiconductors 査読

    Sei Hosomi, Shuta Honda, Mitsuru Inada, Shingo Sato, Hiroshi Tani, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Keiji Ueno, Mahito Yamamoto

    Science and Technology Reports of Kasai University   67   13 - 19   2025年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.32286/0002002557

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  • Multi-bit magnetic memory based on magnetic multilayer pillars with a two-terminal structure

    Syuta Honda, Yoshiaki Sonobe

    IEEE Transactions on Magnetics   2025年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TMAG.2025.3619473

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  • Multi-bit magnetic memory based on domain wall motion in a vertical nanopillar with two perpendicularly magnetized pinning layers

    Syuta Honda, Hiroyoshi Itoh, Yoshiaki Sonobe

    IEEE Transactions on Magnetics   2025年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TMAG.2025.3611334

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  • Interconnected skyrmions in a nanowire structure: Micromagnetic simulations 査読

    Taichi Nishitani, Syuta Honda, Hiroyoshi Itoh, Tomokatsu Ohsawa, Masaaki A. Tanaka

    Physical Review B   inpress   2024年11月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.110.174415

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  • Single current control of magnetization in vertical high-aspect-ratio nanopillars on in-plane magnetization layers 査読

    Syuta Honda, Yoshiaki Sonobe

    Journal of Physics D: Applied Physics   2024年8月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/ad4a85

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  • Magnetization reversal via domain wall motion in vertical high-aspect-ratio nanopillar with two magnetic junctions 査読

    Syuta Honda, Yoshiaki Sonobe

    Journal of Physics D: Applied Physics   2024年4月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/ad2120

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  • Thermoelectric properties of sintered Ba2AgSi3 crystals and search for impurities to control conductivity type by first-principles calculation 査読

    K. Kajihara, Y. Koda, T. Ishiyama, S. Aonuki, K. Toko, S. Honda, M. Mesuda, T. Suemasu

    Journal of Applied Physics   2024年2月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0190025

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  • Connected-Skyrmions-Based Racetrack Memory 査読

    Taichi Nishitani, Syuta Honda, Hiroyoshi Itoh

    2023 IEEE International Magnetic Conference (INTERMAG)   2023-May   2023年10月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/INTERMAG50591.2023.10265067

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  • Control of conductivity in Fe-rich cobalt-ferrite thin films with perpendicular magnetic anisotropy 査読

    Masaya Morishita, Tomoyuki Ichikawa, Masaaki A. Tanaka, Motoharu Furuta, Daisuke Mashimo, Syuta Honda, Jun Okabayashi, Ko Mibu

    Physical Review Materials   7 ( 5 )   2023年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.7.054402

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  • Generation of spin-polarized electronic currents using perpendicularly magnetized cobalt ferrite spin-filtering barriers grown on spinel-type-conductive layers 査読

    Masaaki Tanaka, Motoharu Furuta, Tomoyuki Ichikawa, Masaya Morishita, Yu-Min Hung, Syuta Honda, Teruo Ono, Ko Mibu

    Applied Physics Letters   2023年1月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0131390

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  • Correlation between interlayer exchange coupling and domain wall velocity in multilayered magnetic wires 査読

    Takafumi Suzuki, Masaaki Tanaka, Tatsuro Ohmasa, Shunsuke Honda, Syuta Honda, Hiroyuki Awano, Ko Mibu

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials   565   2023年1月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jmmm.2022.170218

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  • Design of a novel bilayered structure of ferromagnetic metal and nonmagnetic insulator wires while maintaining the distance between the constituent skyrmions 査読

    Masataka Kato, Tomokatsu Ohsawa, Syuta Honda

    Journal of Physics D: Applied Physics   55 ( 47 )   2022年11月

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    担当区分:最終著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/ac941d

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  • Anisotropic magnetoresistance in Mn<inf>4- x </inf>Ni <inf>x</inf>N and the change in the crystalline field 査読

    Taro Komori, Haruka Mitarai, Tomohiro Yasuda, Sambit Ghosh, Laurent Vila, Jean Philippe Attané, Syuta Honda, Takashi Suemasu

    Journal of Applied Physics   132 ( 14 )   2022年10月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0107172

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  • Realization of efficient tuning of the Fermi level in iron-based ferrimagnetic alloys 査読

    N. Yamashita, E. Shigematsu, S. Honda, R. Ohshima, M. Shiraishi, Y. Ando

    Physical Review Materials   6 ( 10 )   2022年10月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.6.104405

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  • Spin-orbit torque assisted magnetization reversal of 100 nm-long vertical pillar 査読

    Syuta Honda, Yoshiaki Sonobe

    Journal of Physics D: Applied Physics   2022年9月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:{IOP} Publishing  

    DOI: 10.1088/1361-6463/ac80dd

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  • Ferrimagnetic-ferromagnetic phase transition in Mn<inf>4</inf>N films favored by non-magnetic in doping 査読

    Tomohiro Yasuda, Taro Komori, Haruka Mitarai, Syuta Honda, Sambit Ghosh, Laurent Vila, Jean Philippe Attané, Kenta Amemiya, Takashi Suemasu

    Journal of Physics D: Applied Physics   55 ( 11 )   2022年3月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:{IOP} Publishing  

    DOI: 10.1088/1361-6463/ac3e90

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  • DEPTH-DEPENDENCE OF MAGNETIZATION AT A FERROMAGNET EDGE UNDER THE INTERFACIAL DZYALOSHINSKII-MORIYA INTERACTION 査読

    KAIYA Yuki, HONDA Syuta, ITOH Hiroyoshi, OHSAWA Tomokatsu

    Science and Technology Reports of Kansai University   ( 64 )   2022年3月

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    担当区分:責任著者  

    J-GLOBAL

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  • SPIN INJECTION INTO FERROMAGNETIC METAL FROM HEAVY METAL OWING TO SPIN HALL EFFECT 査読

    YAMAKI Yoshikazu, HONDA Syuta, ITOH Hiroyoshi

    Science and Technology Reports of Kansai University   ( 64 )   2022年3月

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    担当区分:責任著者  

    J-GLOBAL

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  • Oblique drive tolerance of elliptical skyrmions moving in perpendicularly magnetized nanowire 査読

    Yuki Kaiya, Shota Nishiyama, Syuta Honda, Hiroyoshi Itoh, Tomokatsu Ohsawa

    Journal of Physics D: Applied Physics   55 ( 7 )   075001 - 075001   2022年2月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:{IOP} Publishing  

    DOI: 10.1088/1361-6463/ac3454

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  • Transition metal nitrides and their mixed crystals for spintronics 査読

    Keita Ito, Syuta Honda, Takashi Suemasu

    NANOTECHNOLOGY   33 ( 6 )   062001 - 062001   2022年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6528/ac2fe4

    Web of Science

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  • Room-temperature two-terminal magnetoresistance ratio reaching 0.1% in semiconductor-based lateral devices with L21-ordered Co2MnSi 査読

    K. Kudo, M. Yamada, S. Honda, Y. Wagatsuma, S. Yamada, K. Sawano, K. Hamaya

    Applied Physics Letters   118 ( 16 )   162404 - 162404   2021年4月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/5.0045233

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  • Transforming domain motion for 3D racetrack memory with perpendicular magnetic anisotropy 査読

    Syuta Honda, Yoshiaki Sonobe, Simon John Greaves

    Journal of Physics D: Applied Physics   54 ( 13 )   135002 - 135002   2021年4月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:{IOP} Publishing  

    DOI: 10.1088/1361-6463/abd060

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  • Large Inverse Tunnel Magnetoresistance in Magnetic Tunnel Junctions with an Fe3O4 Electrode 査読

    Shoma Yasui, Syuta Honda, Jun Okabayashi, Takashi Yanase, Toshihiro Shimada, Taro Nagahama

    Physical Review Applied   15 ( 3 )   2021年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevApplied.15.034042

    Web of Science

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  • Enhancement of low-frequency spin-orbit-torque ferromagnetic resonance signals by frequency tuning observed in Pt/Py, Pt/Co, and Pt/Fe bilayers 査読

    Motomi Aoki, Ei Shigematsu, Masayuki Matsushima, Ryo Ohshima, Syuta Honda, Teruya Shinjo, Masashi Shiraishi, Yuichiro Ando

    AIP Advances   11 ( 2 )   025206 - 025206   2021年2月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/9.0000066

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  • Magnetic Domain With Straight Domain Walls Passing Through a Ferromagnetic Insulator for a Continuously Looped Racetrack Memory 査読

    Syuta Honda, Yuki Kaiya, Hiroyoshi Itoh, Tomokatsu Ohsawa

    IEEE Transactions on Magnetics   57 ( 2 )   1 - 5   2021年2月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Institute of Electrical and Electronics Engineers ({IEEE})  

    DOI: 10.1109/TMAG.2020.3010328

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  • In-plane spin-orbit torque magnetization switching and its detection using sub-GHz spin rectification effect 査読

    M. Aoki, E. Shigematsu, M. Matsushima, R. Ohshima, S. Honda, T. Shinjo, M. Shiraishi, and Y. Ando

    Physical Review B   in press ( 17 )   2020年11月

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  • Current-induced linear motion of antiferromagnetically coupled skyrmion-like bubble domains stabilized without Dzyaloshinskii-Moriya interaction 査読

    Syuta Honda, Takamasa Sugahara, Masaaki Tanaka

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   53 ( 43 )   2020年10月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aba14f

    Web of Science

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  • Magnetic compensation at two different composition ratios in rare-earth-free Mn4-xCoxN ferrimagnetic films 査読

    Haruka Mitarai, Taro Komori, Taku Hirose, Keita Ito, Sambit Ghosh, Syuta Honda, Kaoru Toko, Laurent Vila, Jean-Philippe Attan, Kenta Amemiya, Takashi Suemasu

    PHYSICAL REVIEW MATERIALS   4 ( 9 )   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.4.094401

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  • Stabilization of Neel-type domain walls in multilayered magnetic wires using antiferromagnetic interlayer exchange coupling 査読

    Masaaki Tanaka, Musashi Shimazaki, Tatsuro Ohmasa, Takafumi Suzuki, Shunsuke Honda, Syuta Honda, Hiroyuki Awano, Ko Mibu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   128 ( 6 )   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0013481

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  • 界面ジャロシンスキー守谷相互作用が働く1次元強磁性細線における終端磁化の内部磁区への影響 査読

    海谷侑希, 本多周太, 伊藤博介, 大澤友克

    Transaction of the Magnetics Society of Japan (Special Issues)   vol. 4, pp. 23-26   2020年5月

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  • Marked enhancement of the photoresponsivity and minority-carrier lifetime of BaS i2 passivated with atomic hydrogen 査読

    Zhihao Xu, Denis A. Shohonov, Andrew B. Filonov, Kazuhiro Gotoh, Tianguo Deng, Syuta Honda, Kaoru Toko, Noritaka Usami, Dmitri B. Migas, Victor E. Borisenko, Takashi Suemasu

    Physical Review Materials   3 ( 6 )   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.3.065403

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  • Water circulation induced by mechanical aerators in a rectangular vessel for shrimp aquaculture

    Tomoaki Itano, Taishi Inagaki, Choji Nakamura, Ren Hashimoto, Naohiro Negoro, Jinsuke Hyodo, Syuta Honda

    AQUACULTURAL ENGINEERING   85   106 - 113   2019年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.aquaeng.2019.03.006

    Web of Science

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  • Perpendicular magnetic anisotropy and tunneling conductivity of epitaxial cobalt-ferrite (0 0 1) films grown on nonmagnetic metal films 査読

    Katsuyoshi Naruse, Masaaki Tanaka, Kosuke Nomura, Takuya Taniguchi, Takuya Taniguchi, Syuta Honda, Syuta Honda, Teruo Ono, Teruo Ono, Ko Mibu

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials   475   721 - 726   2019年4月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jmmm.2018.12.025

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  • Skyrmion-Based Racetrack Memory With Continuous Loop Built From Ferromagnetic Metal and Insulator 査読

    Syuta Honda, Takahiro Yae, Tomokatsu Ohsawa

    IEEE Transactions on Magnetics   55 ( 2 )   1 - 4   2019年2月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Institute of Electrical and Electronics Engineers ({IEEE})  

    DOI: 10.1109/TMAG.2018.2866500

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  • Crystal orientation effect on spin injection/detection efficiency in Si lateral spin-valve devices 査読

    Mizue Ishikawa, Makoto Tsukahara, Syuta Honda, Yuichi Fujita, Michihiro Yamada, Yoshiaki Saito, Takashi Kimura, Hiroyoshi Itoh, Kohei Hamaya

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   52 ( 8 )   085102 - 085102   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aaf37c

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  • Current-induced motion of bubble domains stabilised in nanowires with edge defects 査読

    Syuta Honda, Ryoji Takashima, Masaaki Tanaka

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   52 ( 2 )   025001 - 025001   2019年1月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aae8cd

    Web of Science

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  • 周回構造を持ったレーストラックメモリ実現に向けた磁気シミュレーション

    本多周太

    信学技報   vol. 118, MRIS2018-16, pp. 15 - 20   2018年10月

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  • Transition from minority to majority spin transport in iron-manganese nitride Fe4-xMnxN films with increasing x 査読

    Anzai Akihito, Gushi Toshiki, Komori Taro, Honda Syuta, Isogami Shinji, Suemasu Takashi

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   124 ( 12 )   2018年9月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5051721

    Web of Science

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  • Magnetic properties and electronic state of Mo x Fe3−x O4 ferrites 査読

    Y. Hisamatsu, S. Honda, S. Sharmin, J. Inoue, E. Kita, H. Yanagihara

    Materials Research Express   5 ( 8 )   086103 - 086103   2018年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/2053-1591/aad14b

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  • Electronic states in single-layer molybdenum disulfide substitutional-doped chromium atoms with 2H, it and distorted-it phase structure 査読

    Syuta Honda, Naoki Yokoyama

    Technology Reports of Kansai University   2018-March ( 60 )   7 - 13   2018年3月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者  

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    J-GLOBAL

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  • Watar circulation driven by a paddle-wheel aerator in a rectangular reservoir

    Tomoaki Itano, Taishi Inagaki, Choji Nakamura, Ren Hashimoto, Naohiro Negoro, Syuta Honda, Jinsuke Hyodo

    Technology Reports of Kansai University   2018-March ( 60 )   15 - 22   2018年3月

  • Magnetic domain walls in nanostrips of single-crystalline Fe4N(001) thin films with fourfold in-plane magnetic anisotropy 査読

    Keita Ito, Nicolas Rougemaille, Stefania Pizzini, Syuta Honda, Norio Ota, Takashi Suemasu, Olivier Fruchart

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   121 ( 24 )   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4989991

    Web of Science

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  • Electric-current-induced dynamics of bubble domains in a ferrimagnetic Tb/Co multilayer wire below and above the magnetic compensation point 査読

    Masaaki Tanaka, Sho Sumitomo, Noriko Adachi, Syuta Honda, Hiroyuki Awano, Ko Mibu

    AIP ADVANCES   7 ( 5 )   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4974067

    Web of Science

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  • Robust spin-current injection in lateral spin valves with two-terminal Co2FeSi spin injectors 査読

    S. Oki, T. Kurokawa, S. Honda, S. Yamada, T. Kanashima, H. Itoh, K. Hamaya

    AIP ADVANCES   7 ( 5 )   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4972852

    Web of Science

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  • 強磁性絶縁体を用いたMTJにおけるMR効果

    左手宏毅, 伊藤博介, 伊藤博介, 本多周太

    日本磁気学会論文特集号(Web)   1 ( 2 )   88‐92(J‐STAGE) - 92   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本磁気学会  

    <p>  We calculated the conductance and magnetoresistance (MR) ratio in the ferromagnetic metal/ non-magnetic metal/ ferromagnetic insulator/ non-magnetic metal junction by using a free electron model. The spin-filter in the ferromagnetic insulator results in the MR effect. The value of the MR ratio oscillates as the thickness of the non-magnetic metal layer is increased. The period of the oscillation is given by the Fermi wave length of the non-magnetic metal and therefore the oscillation is caused by the interference of the electron wave function in the non-magnetic metal. The extremum of the MR ratio saturates as the insulator thickness is increased. This saturated value does not depend on the material parameters of the ferromagnetic insulator if the insulator is sufficiently thick. Furthermore, the dispersion of the MR ratio originating from the unevenness in the thickness of the non-magnetic metal layer, which could occur during fabrication, is suppressed by using the non-magnetic metal with longer Fermi wave length.</p>

    DOI: 10.20819/msjtmsj.17TR118

    J-GLOBAL

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  • Micromagnetic investigations of Néel- and Bloch-type skyrmion dynamics induced by spin Hall effect of cap layers 査読

    Syuta Honda, Tanaka Masaaki

    Japanese Journal of Applied Physics   56 ( 9 )   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.098001

    Web of Science

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  • Tb/Coフェリ磁性多層膜細線に生成したバブル磁区の磁気補償点前後での電流駆動

    田中 雅章, 住友 翔, 濱田 浩史, 本多 周太, 粟野 博之, 壬生 攻

    日本物理学会講演概要集   72 ( 0 )   1189 - 1189   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    &lt;p&gt;プラチナ層と接する垂直磁化フェリ磁性体多層膜Tb/Coの{Tb/Co}_7_/Pt細線上にバブル磁区を生成し,電流印加による挙動を調べた.電流印加によりバブル磁区は細線の端方向への傾斜をもって成長した.フェリ磁性体の磁化の主体となる原子がTbとCoの場合で傾斜方向が逆になることがわかった.プラチナ層からのスピンホール効果を考慮したマイクロマグネティスシミュレーションでも同様の結果が得られ,このバブル磁区の傾斜はスピンホール効果によって説明できることがわかった&lt;/p&gt;

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  • Magnetic properties and interfacial characteristics of all-epitaxial Heusler-compound stacking structures 査読

    S. Yamada, S. Honda, J. Hirayama, M. Kawano, K. Santo, K. Tanikawa, T. Kanashima, H. Itoh, K. Hamaya

    Physical Review B   94 ( 9 )   094435-1 - 094435-7   2016年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Physical Society  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.94.094435

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  • Electrical detection of magnetic domain wall in Fe4N nanostrip by negative anisotropic magnetoresistance effect 査読

    Toshiki Gushi, Keita Ito, Soma Higashikozono, Fumiya Takata, Hirotaka Oosato, Yoshimasa Sugimoto, Kaoru Toko, Syuta Honda, Takashi Suemasu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   120 ( 11 )   2016年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4962721

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  • Controlling magnetic domain wall positions with an external magnetic field and a low spin-polarized current in chamfered L-shaped ferromagnetic thin ribbons 査読

    Syuta Honda, Daiki Yamamoto, Tomokatsu Ohsawa, Toshiki Gushi, Keita Ito, Takashi Suemasu

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   49 ( 38 )   2016年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/49/38/385002

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  • Computing surface Green's functions for semi-infinite systems on multilayered periodic structures 査読

    Takafumi Miyata, Ryohei Naito, Syuta Honda

    JOURNAL OF ENGINEERING MATHEMATICS   97 ( 1 )   25 - 32   2016年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s10665-015-9794-x

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  • Effect of the sigma-band of graphene on an electric current in metal/graphene/metal junctions 査読

    Syuta Honda

    Technology Reports of Kansai University   ( 58 )   9 - 13   2016年3月

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    担当区分:筆頭著者, 最終著者, 責任著者  

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  • First-principles study of energy band gap of single-layer Mo1-xCrxS2 査読

    Akiko Ueda, Syuta Honda, Hiroshi Imamura

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 2 )   2016年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.028003

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  • Control of domain wall position in L-shaped Fe&lt;inf&gt;4&lt;/inf&gt;N negatively spin polarized ferromagnetic nanowire

    T. Gushi, K. Ito, S. Honda, Y. Yasutomi, S. Higashikozono, K. Toko, H. Oosato, Y. Sugimoto, K. Asakawa, N. Ota, T. Suemasu

    2015 IEEE International Magnetics Conference, INTERMAG 2015   2015年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI: 10.1109/INTMAG.2015.7157071

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  • Current-induced dynamics of bubble domains in perpendicularly magnetized TbFeCo wires 査読

    Masaaki Tanaka, Hiroki Kanazawa, Sho Sumitomo, Syuta Honda, Ko Mibu, Hiroyuki Awano

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   8 ( 7 )   2015年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.8.073002

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  • Antiferromagnetic coupling and impurity effects at junctions between Fe3O4 and Fe(001) layers

    H. Yanagihara, H. Kamita, S. Honda, J. Inoue, Eiji Kita, H. Itoh, Ko Mibu

    PHYSICAL REVIEW B   91 ( 17 )   2015年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.91.174423

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  • Conduction and Spin Transport via Edge States in Randomly Hydrogenated Graphene Nano-Ribbon 査読

    K. Inuzuka, S. Honda, and N. Sano

    JPS Conference Proceedings   vol. 5, pp. 011016-1 – 011016-6   2015年2月

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  • Fabrication of L-shaped Fe4N ferromagnetic narrow wires and position control of magnetic domain wall with magnetic field 査読

    Toshiki Gushi, Keita Ito, Syuta Honda, Yoko Yasutomi, Kaoru Toko, Hirotaka Oosato, Yoshimasa Sugimoto, Kiyoshi Asakawa, Norio Ota, Takashi Suemasu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 2 )   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP PUBLISHING LTD  

    We grow a 15-nm-thick ferromagnetic Fe4N epitaxial film on a SrTiO3(001) substrate by molecular beam epitaxy, and process it into approximately 0.5-mu m-wide and 24-mu m-long L-shaped ferromagnetic narrow wires by electron-beam lithography and Cl-2 reactive ion etching. Their longitudinal directions are set in parallel to the magnetic easy axes, Fe4N[100] and [010]. With applying external magnetic field in the direction parallel to Fe4N[1001 or [010], the position of domain wall is controlled either on the upper side or lower side of the corner. This experiment is the preliminary step toward current-driven domain wall motion in Fe4N having a negative spin polarization. (C) 2015 The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.7567/JJAP.54.028003

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  • Magnetization Reversal of Permalloy Film by Pure Spin Current Injection: Relation between Reversal Time and Injected Surface 査読

    S. Honda and T. Kimura

    JPS Conference Proceedings   vol. 5, pp. 011015-1 – 011015-5   2015年2月

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  • Fabrication of L-shaped Fe

    Gushi Toshiki, Ito Keita, Honda Syuta, Yasutomi Yoko, Toko Kaoru, Oosato Hirotaka, Sugimoto Yoshimasa, Asakawa Kiyoshi, Ota Norio, Suemasu Takashi

    Jpn. J. Appl. Phys.   54 ( 2 )   28003 - 28003   2015年1月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Institute of Physics  

    We grow a 15-nm-thick ferromagnetic Fe<inf>4</inf>N epitaxial film on a SrTiO<inf>3</inf>(001) substrate by molecular beam epitaxy, and process it into approximately 0.5-µm-wide and 24-µm-long L-shaped ferromagnetic narrow wires by electron-beam lithography and Cl<inf>2</inf>reactive ion etching. Their longitudinal directions are set in parallel to the magnetic easy axes, Fe<inf>4</inf>N[100] and [010]. With applying external magnetic field in the direction parallel to Fe<inf>4</inf>N[100] or [010], the position of domain wall is controlled either on the upper side or lower side of the corner. This experiment is the preliminary step toward current-driven domain wall motion in Fe<inf>4</inf>N having a negative spin polarization.

    DOI: 10.7567/JJAP.54.028003

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  • Mechanism and control of antiferromagnetic coupling in Fe/Fe3O4 junctions 査読

    Syuta Honda, Hideto Yanagihara, Jun-ichiro Inoue, Eiji Kita, Hiroyoshi Itoh, Ko Mibu

    20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON MAGNETISM, ICM 2015   75   1080 - 1087   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1016/j.phpro.2015.12.178

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  • Correlation Effects of Localized Impurities on Electron Transport under 1-D Nano-Structures

    N. Sano, M. R. Zulhidza, Y. Kaneno, S. Honda, A. Ueda, K. Yoshida

    19TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON' 19)   647   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/647/1/012028

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  • Magnetization and spin-polarized conductance of asymmetrically hydrogenated graphene nanoribbons: significance of sigma bands 査読

    Syuta Honda, Kouhei Inuzuka, Takeshi Inoshita, Norio Ota, Nobuyuki Sano

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   47 ( 48 )   2014年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/47/48/485004

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  • Spin-Polarised Electron Transport across an Abrupt or Partially Intermixed Fe/GaAs(001) Interface 査読

    A. Hirohata, L. R. Fleet, K. Yoshida, H. Kobayashi, Y. Kaneko, Y. Ohno, S Honda, J. Inoue, H. Ohno

    Journal of the Magnetics Society of Japan   38   66 - 70   2014年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3379/msjmag.1402R006

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  • Potential variations around grain boundaries in impurity-doped BaSi2 epitaxial filmsevaluated by Kelvin probe force microscopy 査読

    D. Tsukahara, M. Baba, S. Honda, Y. Imai, K. O. Hara, N. Usami, K. Toko, J. H. Werner, and T. Suemasu

    Journal of Applied Physics   vol. 116, pp. 123709-1 – 123709-8 ( 12 )   123709 - 123709   2014年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:American Institute of Physics  

    Potential variations around the grain boundaries (GBs) in antimony (Sb)-doped n-type and boron (B)-doped p-type BaSi2 epitaxial films on Si(111) were evaluated by Kelvin probe force microscopy. Sb-doped n-BaSi2 films exhibited positively charged GBs with a downward band bending at the GBs. The average barrier height for holes was approximately 10 meV for an electron concentration n ≈ 1017 cm−3. This downward band bending changed to upward band bending when n was increased to n = 1.8 × 1018 cm−3. In the B-doped p-BaSi2 films, the upward band bending was observed for a hole concentration p ≈ 1018 cm−3. The average barrier height for electrons decreased from approximately 25 to 15 meV when p was increased from p = 2.7 × 1018 to p = 4.0 × 1018 cm−3. These results are explained under the assumption that the position of the Fermi level E f at GBs depends on the degree of occupancy of defect states at the GBs, while E f approached the bottom of the conduction band or the top of the valence band in the BaSi2 grain interiors with increasing impurity concentrations. In both cases, such small barrier heights may not deteriorate the carrier transport properties. The electronic structures of impurity-doped BaSi2 are also discussed using first-principles pseudopotential method to discuss the insertion sites of impurity atoms and clarify the reason for the observed n-type conduction in the Sb-doped BaSi2 and p-type conduction in the B-doped BaSi2.

    DOI: 10.1063/1.4896760

    CiNii Books

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  • Electronic structures and magnetic moments of Co3FeN thin films grown by molecular beam epitaxy 査読

    Keita Ito, Tatsunori Sanai, Siyuan Zhu, Yoko Yasutomi, Kaoru Toko, Syuta Honda, Shigenori Ueda, Yukiharu Takeda, Yuji Saitoh, Yoji Imai, Akio Kimura, Takashi Suemasu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   103 ( 23 )   2013年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4836655

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  • ジャンクションレストランジスタにおけるNEGF法を用いたデバイスシミュレーション―不純物散乱と遮蔽の影響の考察―

    植田暁子, LUISIER Mathieu, 吉田勝尚, 本多周太, 佐野伸行

    電子情報通信学会技術研究報告   113 ( 296(SDM2013 99-115) )   61 - 64   2013年11月

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    記述言語:日本語  

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  • A numerical approach to surface Green's functions via generalized eigenvalue problems 査読

    Takafumi Miyata, Syuta Honda, Ryohei Naito, Shao-Liang Zhang

    Japan Journal of Industrial and Applied Mathematics   30 ( 3 )   653 - 660   2013年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1007/s13160-013-0116-2

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  • Correlating the interface structure to spin injection in abrupt Fe/GaAs(001) films 査読

    L. R. Fleet, K. Yoshida, H. Kobayashi, Y. Kaneko, S. Matsuzaka, Y. Ohno, H. Ohno, S. Honda, J. Inoue, A. Hirohata

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics   87 ( 2 )   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Understanding the effect of the interface on electrical spin injection is of great importance for the development of semiconductor spintronics. Fe/GaAs(001) is one of the leading systems for exploring these effects due to the small lattice mismatch. We report on the correlation between the experimentally observed Fe/GaAs(001) interface with the spin-transport properties. Using high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscopy, we observe a predominantly abrupt interface with some regions of partial mixing also observed in the same film. We report that reproducible behavior with no bias-dependent polarization inversion was achieved for three-terminal devices. Using ab initio calculations of the experimentally observed interfaces, we show that the contribution to the transport from minority carriers is strongly dependent on the interface structure. © 2013 American Physical Society.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.87.024401

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  • Correlating the interface structure to spin injection in abrupt Fe/GaAs(001) films 査読

    L. R. Fleet, K. Yoshida, H. Kobayashi, Y. Kaneko, S. Matsuzaka, Y. Ohno, H. Ohno, S. Honda, J. Inoue, A. Hirohata

    PHYSICAL REVIEW B   87 ( 2 )   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER PHYSICAL SOC  

    Understanding the effect of the interface on electrical spin injection is of great importance for the development of semiconductor spintronics. Fe/GaAs(001) is one of the leading systems for exploring these effects due to the small lattice mismatch. We report on the correlation between the experimentally observed Fe/GaAs(001) interface with the spin-transport properties. Using high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscopy, we observe a predominantly abrupt interface with some regions of partial mixing also observed in the same film. We report that reproducible behavior with no bias-dependent polarization inversion was achieved for three-terminal devices. Using ab initio calculations of the experimentally observed interfaces, we show that the contribution to the transport from minority carriers is strongly dependent on the interface structure. DOI: 10.1103/PhysRevB.87.024401

    DOI: 10.1103/PhysRevB.87.024401

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  • 純スピン流注入磁化反転に対するスピン偏極方向の影響

    本多周太, 伊藤博介

    J Magn Soc Jpn   37 ( 5 )   338-341 (J-STAGE) - 341   2013年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本磁気学会  

    The dynamics of the magnetization reversal process in permalloy films by the pure spin current injection has been analyzed. We have performed micromagnetics simulations based on the Landau-Lifshitz equation taking into account both the relaxation term and spin transfer torque term caused by the pure spin current which is injected into the small permalloy thin films laterally. We found that the magnetization switching time is decreased and the switching probability is increased by optimizing the spin polarization direction of the injecting pure spin current.

    DOI: 10.3379/msjmag.1308R001

    CiNii Books

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  • Room-temperature structural ordering of a Heusler compound Fe3Si

    S. Yamada, J. Sagar, S. Honda, L. Lari, G. Takemoto, H. Itoh, A. Hirohata, K. Mibu, M. Miyao, K. Hamaya

    PHYSICAL REVIEW B   86 ( 17 )   2012年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.86.174406

    Web of Science

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  • Micromagnetics simulation for magnetization switching of permalloy films with pure spin current injection. 査読 国際誌

    Syuta Honda, Hiroyoshi Itoh

    Journal of nanoscience and nanotechnology   12 ( 11 )   8662 - 5   2012年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1166/jnn.2012.6481

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  • Zero-bias anomaly in ferromagnetic Ni nanoconstrictions 査読

    K. Ienaga, N. Nakashima, Y. Inagaki, H. Tsujii, S. Honda, T. Kimura, T. Kawae

    PHYSICAL REVIEW B   86 ( 6 )   2012年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.86.064404

    Web of Science

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  • Effects of impurity states on exchange coupling in Fe/Fe3O4 junctions 査読

    J. Inoue, S. Honda, H. Itoh, K. Mibu, H. Yanagihara, E. Kita

    PHYSICAL REVIEW B   85 ( 18 )   2012年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER PHYSICAL SOC  

    Exchange coupling (EC) in Fe/Fe3O4 junctions containing magnetic impurities and in-gap states at the interface is calculated using a formula obtained by a cleaved layer method. The model for EC is constructed by performing first-principles calculations of the electronic and magnetic states of Co, Mn, and Cr impurities on the Fe surface and those of in-gap states in a bulk gamma-Fe2O3, which has the same lattice structure as Fe3O4 but contains Fe defects. We show that the effect of Co impurities on EC is opposite to that of Cr and Mn impurities and that in-gap states tend to cause parallel magnetization alignment of two ferromagnets. These results are attributed to the change in electronic states caused by the presence of impurities. Further, we compare calculated results with experimental ones obtained in Fe/Fe3O4 junctions and suggest that doping magnetic impurities at the interface could be a useful way to control the magnitude and sign of the EC.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.85.184431

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  • Effects of impurity states on exchange coupling in Fe/Fe3O4 junctions 査読

    Inoue, J, Honda, S, Itoh, H, Mibu, K, Yanagihara, H, Kita, E

    PHYSICAL REVIEW B   85 ( 18 )   2012年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER PHYSICAL SOC  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.85.184431

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  • Magnetoresistance in fcc Ni/graphene/fcc Ni(111) junctions 査読

    R. Sato, T. Hiraiwa, J. Inoue, S. Honda, H. Itoh

    PHYSICAL REVIEW B   85 ( 9 )   2012年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.85.094420

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  • 純スピン流注入によるパーマロイ薄膜の磁化反転シミュレーション ‐多方向注入の効果‐

    本多周太, 伊藤博介

    J Magn Soc Jpn   36 ( 6 )   331-335 (J-STAGE) - 335   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本磁気学会  

    &amp;nbsp;&amp;nbsp;The dynamics of the magnetization reversal process in permalloy films by pure spin current injection has been analyzed. We have performed micromagnetics simulations based on the Landau-Lifshitz equation taking into account both the relaxation term and spin transfer torque term caused by the pure spin current which is injected into permalloy thin films laterally. For spin injection from one side of the film sample, the magnetization reversal occurs in film samples less than 70 nm wide. This size is independent of the magnitude of the injected spin current. We also found that spin injection from two sides can reverse the magnetization in permalloy films that are several times wider.

    DOI: 10.3379/msjmag.1210R002

    CiNii Books

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  • Chirality control of magnetic vortex in a square Py dot using current-induced Oersted field 査読

    S. Yakata, M. Miyata, S. Honda, H. Itoh, H. Wada, T. Kimura

    APPLIED PHYSICS LETTERS   99 ( 24 )   2011年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3669410

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  • Role of Interfacial Resonant States on Spin Injection in FM/GaAs Contacts 査読

    Syuta Honda, Jun-ichiro Inoue, Hiroyoshi Itoh

    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS   47 ( 10 )   2753 - 2755   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TMAG.2011.2158807

    Web of Science

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  • Effects of Magnetic Contacts on Magnetoresistance in FM/Graphene/FM Lateral Junctions 査読

    T. Hiraiwa, R. Sato, A. Yamamura, J. Inoue, S. Honda, H. Itoh

    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS   47 ( 10 )   2743 - 2745   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TMAG.2011.2158808

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  • Electronic States and Magnetic Coupling in Fe/Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub> Junctions 査読

    T. Kida, S. Honda, J. Inoue, H. Itoh, H. Yanagihara, E. Kita, K. Mibu

    Material Research Society Symposium Proceedings   1292   41 - 46   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Electronic and Magnetic Structure at the Fe/Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub> Interface 査読

    T. Kida, S. Honda, H. Itoh, J. Inoue, H. Yanagihara, E. Kita, K. Mibu

    Physical Review B   84   104407-1 - 104407-10   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Graphene for magnetoresistive junctions 査読

    J. Inoue, T. Hiraiwa, R. Sato, A. Yamamura, S. Honda, H. Itoh

    Materials Research Society Symposium Proceedings   1284   87 - 92   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/opl.2011.646

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  • Electronic structure and spin-injection of Co-based Heusler alloy/semiconductor junctions 査読

    Hiroyoshi Itoh, Syuta Honda, Jun-ichiro Inoue

    TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS   470   54 - +   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/KEM.470.54

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  • Ab initio study of magnetic structure and exchange coupling in Co2MnSi/Cr/Co2MnSi trilayers

    W. Kakeno, S. Honda, H. Itoh, J. Inoue

    PHYSICAL REVIEW B   82 ( 1 )   014413   2010年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.82.014413

    Web of Science

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  • Magnetoresistance in ferromagnetic-metal/graphene/ferromagnetic-metal lateral junctions

    S. Honda, A. Yamamura, T. Hiraiwa, R. Sato, J. Inoue, H. Itoh

    PHYSICAL REVIEW B   82 ( 3 )   2010年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.82.033402

    Web of Science

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  • Bias dependence of spin-polarized tunnel current through Fe/GaAs and Fe/GaAs/Fe junctions 査読

    S. Honda, H. Itoh, J. Inoue

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   43 ( 13 )   2010年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/43/13/135002

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  • Numerical simulation of giant magnetoresistance in magnetic multilayers and granular films

    Y. Yamagishi, S. Honda, J. Inoue, H. Itoh

    PHYSICAL REVIEW B   81 ( 5 )   2010年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.81.054445

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  • 金属/グラフェン/金属接合における磁気抵抗効果

    山村彰紀, 本多周太, 井上順一郎, 伊藤博介

    Journal of the Magnetics Society of Japan   34 ( 1 )   34-38 (J-STAGE) - 38   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本磁気学会  

    &amp;nbsp;&amp;nbsp;We studied the spin dependence of conductance and magnetoresistance for clean ferromagnet/graphene/ferromagnet junctions by making use of both simple and realistic band models for ferromagnetic leads. We found that conductance decays monotonically with increasing graphene length for pure graphene, but oscillates for doped graphenes. Magnetoresistance had non-zero values when ferromagnetic leads with a realistic band structure were attached. For doped graphene magnetoresistance also oscillates with graphene length. The oscillation period was determined by the Fermi wave length of the doped graphene.

    DOI: 10.3379/msjmag.0912RE0013

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  • Co2MnSi=Cr=Co2MnSi多層膜における磁気構造

    掛布 亘, 本多 周太, 井上 順一郎, 伊藤 博介

    日本応用磁気学会誌   34 ( 2 )   92 - 95   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本磁気学会  

    &amp;nbsp;&amp;nbsp;The Magnetic structure of magnetic multilayers composed of a full Heusler Co&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;MnSi(CMS) alloy and Cr was calculated by using first-principles band calculation. We found that the magnetic moments of Co and Cr were parallel, while those of Mn and Cr were anti-parallel in CMS/Cr/CMS multilayers. By comparing the calculated results with those in Fe/Cr/Fe multilayers, it could be argued that the magnetic structure calculated for Co, Mn, and Cr atoms is crucial for the biquadratic coupling observed in these multilayers.

    DOI: 10.3379/msjmag.1003R004

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  • Fe/GaAs接合におけるスピン依存伝導の電圧依存性

    本多周太, 井上順一郎, 伊藤博介

    電気学会マグネティックス研究会資料   MAG-09 ( 168-189 )   11 - 15   2009年12月

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    記述言語:日本語  

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  • Co<sub>2</sub>MnSi/Cr/Co<sub>2</sub>MnSi接合における磁化配列

    掛布亘, 本多周太, 井上順一郎, 伊藤博介

    電気学会マグネティックス研究会資料   MAG-09 ( 168-189 )   17 - 20   2009年12月

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    記述言語:日本語  

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  • Fcc‐金属/グラフェン/fcc‐金属接合における電子状態と磁気抵抗効果

    山村彰紀, 本多周太, 井上順一郎, 伊藤博介

    電気学会マグネティックス研究会資料   MAG-09 ( 168-189 )   7 - 10   2009年12月

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    記述言語:日本語  

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  • Spin polarization control through resonant states in an Fe/GaAs Schottky barrier 査読

    S. Honda, H. Itoh, J. Inoue, H. Kurebayashi, T. Trypiniotis, C. H. W. Barnes, A. Hirohata, J. A. C. Bland

    PHYSICAL REVIEW B   78 ( 24 )   2008年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.78.245316

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  • Fe/GaAs接合における界面電子状態とスピン注入

    本多周太, 井上順一郎, 伊藤博介

    J Magn Soc Jpn   32 ( 3 )   351 - 354   2008年5月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.3379/msjmag.32.351

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  • Tunnel magnetoresistance of ferromagnetic semiconductor junctions 査読

    S. Honda, H. Itoh, J. Inoue

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   244 ( 12 )   4456 - 4459   2007年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.200777263

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  • Quasiparticle density of states in high-T-c superconductors in the superconducting state

    T. Hata, S. Onari, S. Honda, H. Itoh, Y. Tanaka, J. Inoue

    PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS   463   123 - 125   2007年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.physc.2007.05.019

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  • Tunnel conductance via interfacial states in semimetal/semiconductor/semimetal junctions 査読

    Syuta Honda, Taku Kondo, Hiroyoshi Itoh, Jun-ichiro Inoue

    PHYSICAL REVIEW B   74 ( 15 )   2006年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER PHYSICAL SOC  

    The interfacial density of states and conductance of GdAs/GaAs/GdAs junctions, where GdAs and GaAs are a semimetal and a semiconductor, respectively, are calculated using a full-orbital tight-binding model. The tunnel conductance of the junction is calculated using the Kubo formula at zero temperature assuming coherent tunneling of electrons. Emphasizing the role of interfacial states on the conductance, the following results are obtained. The interfacial states extend 2-4 atomic layers from the interface; however, the effect of the interfacial states on the conductance extends up to nearly 10 atomic GaAs layers, and nonmonotonic dependence of the tunnel conductance on the barrier thickness appears for thin GaAs layers. The height of the interfacial density of states does not necessarily correlate with the magnitude of the tunnel conductance. The matching between the Fermi surface of the leads and interfacial states governs the magnitude of the tunnel conductance. It is also found that the nonmonotonic dependence of the tunnel conductance is caused by an interference effect of the interface states existing at the two interfaces of GaAs layer.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.74.155329

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  • Interfacial states and tunnel magnetoresistance of ferromagnetic semimetal/semiconductor junctions 査読

    S. Honda, H. Itoh, J. Inoue

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 12   3 ( 12 )   4192 - 4195   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1002/pssc.200672845

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  • Tunnel conductance via interfacial states in semimetal/semiconductor/ semimetal junctions 査読

    Syuta Honda, Taku Kondo, Hiroyoshi Itoh, Jun-Ichiro Inoue

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics   74 ( 15 )   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The interfacial density of states and conductance of GdAs/GaAs/GdAs junctions, where GdAs and GaAs are a semimetal and a semiconductor, respectively, are calculated using a full-orbital tight-binding model. The tunnel conductance of the junction is calculated using the Kubo formula at zero temperature assuming coherent tunneling of electrons. Emphasizing the role of interfacial states on the conductance, the following results are obtained. The interfacial states extend 2-4 atomic layers from the interface
    however, the effect of the interfacial states on the conductance extends up to nearly 10 atomic GaAs layers, and nonmonotonic dependence of the tunnel conductance on the barrier thickness appears for thin GaAs layers. The height of the interfacial density of states does not necessarily correlate with the magnitude of the tunnel conductance. The matching between the Fermi surface of the leads and interfacial states governs the magnitude of the tunnel conductance. It is also found that the nonmonotonic dependence of the tunnel conductance is caused by an interference effect of the interface states existing at the two interfaces of GaAs layer. © 2006 The American Physical Society.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.74.155329

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  • Computation of electrical conductance in nano-scale junctions for device applications

    J Inoue, H Itoh, S Honda, K Yamamoto, T Ohsawa

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   16 ( 48 )   S5563 - S5570   2004年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0953-8984/16/48/012

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書籍等出版物

  • Graphene in Spintronics: Fundamentals and Applications

    J. Inoue, A. Yamakage, S. Honda( 担当: 共著)

    Pan Stanford  2016年5月  ( ISBN:9789814669566

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  • 磁気メモリと磁化の制御

    本多周太( 担当: 単著)

    理工学と技術  2015年11月 

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MISC

  • 連結したスキルミオンを用いた高集積レーストラックメモリにむけたマイクロマグネティクスシミュレーション

    本多周太

    まぐね   18   67 - 72   2023年4月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

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  • Vertical long pillar magnetic memory with two magnetic junctions

    Syuta Honda, Yoshiaki Sonobe

    2023 IEEE International Magnetic Conference - Short Papers, INTERMAG Short Papers 2023 - Proceedings   2023年

  • Overlapping-skyrmions based racetrack memory

    Taichi Nishitani, Syuta Honda, Hiroyoshi Itoh

    2023 IEEE International Magnetic Conference - Short Papers, INTERMAG Short Papers 2023 - Proceedings   2023年

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  • 非磁性金属TiN上に作製したコバルトフェライト垂直磁化膜の電気伝導特性評価

    田中雅章, 成瀬克芳, 野村幸佑, 谷口卓也, 本多周太, 小野輝男, 壬生攻

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   73 ( 1 )   ROMBUNNO.22pPSB‐2   2018年3月

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    記述言語:日本語  

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  • Tb/Coフェリ磁性多層膜細線に生成したバブル磁区の磁気補償点前後での電流駆動

    田中 雅章, 住友 翔, 濱田 浩史, 本多 周太, 粟野 博之, 壬生 攻

    日本物理学会講演概要集   72 ( 0 )   1189 - 1189   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    &lt;p&gt;プラチナ層と接する垂直磁化フェリ磁性体多層膜Tb/Coの{Tb/Co}_7_/Pt細線上にバブル磁区を生成し,電流印加による挙動を調べた.電流印加によりバブル磁区は細線の端方向への傾斜をもって成長した.フェリ磁性体の磁化の主体となる原子がTbとCoの場合で傾斜方向が逆になることがわかった.プラチナ層からのスピンホール効果を考慮したマイクロマグネティスシミュレーションでも同様の結果が得られ,このバブル磁区の傾斜はスピンホール効果によって説明できることがわかった&lt;/p&gt;

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  • 19pPSB-30 Tb/Coフェリ磁性多層膜細線に生成した磁壁の電流駆動

    住友 翔, 足立 紀子, 田中 雅章, 本多 周太, 壬生 攻, 粟野 博之

    日本物理学会講演概要集   71 ( 0 )   1156 - 1156   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_1156

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  • 磁気メモリと磁化の制御

    本多周太

    理工学と技術   22   7 - 10   2015年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:関西大学理工学会  

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  • 16pPSA-30 パーマロイ2 層薄膜における磁気渦の高周波共鳴

    本多 周太, 土屋 智, 大澤 友克, 家形 諭, 木村 崇

    日本物理学会講演概要集   70   842 - 842   2015年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_842

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  • 18pCM-6 垂直磁気異方性を持つ磁性細線に生成したバブル磁区の電流に対する挙動調査

    住友 翔, 足立 紀子, 金沢 大樹, 田中 雅章, 本多 周太, 壬生 攻, 粟野 博之

    日本物理学会講演概要集   70 ( 0 )   959 - 959   2015年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_959

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  • 21pPSA-15 TbFeCo細線中のバブル磁区の電流駆動方向の制御

    住友 翔, 金沢 大樹, 田中 雅章, 本多 周太, 壬生 攻, 粟野 博之

    日本物理学会講演概要集   70 ( 0 )   1088 - 1088   2015年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.70.1.0_1088

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  • 7pPSA-13 スピネルフェライトの電子状態とスピンフィルタ効果(7pPSA 領域3ポスターセッション(スピントロニクス,表面・界面磁性,実験技術,磁性一般),領域3(磁性))

    伊藤 博介, 本多 周太

    日本物理学会講演概要集   69 ( 2 )   276 - 276   2014年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 7pPSA-15 TbFeCo細線に生成したバブル磁区の電流印加時のダイナミクス測定(7pPSA 領域3ポスターセッション(スピントロニクス,表面・界面磁性,実験技術,磁性一般),領域3(磁性))

    金沢 大樹, 住友 翔, 田中 雅章, 本多 周太, 粟野 博之, 壬生 攻

    日本物理学会講演概要集   69 ( 0 )   276 - 276   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

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  • 磁性薄膜研究の最前線 II―酸化物薄膜の機能性―Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>/Fe(001)界面における反平行交換結合

    柳原英人, 喜多英治, 本多周太, 壬生攻, 伊藤博介, 井上順一郎

    まぐね   7 ( 3 )   101 - 107   2012年6月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:日本応用磁気学会  

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  • 24aPS-13 Fe/GaAs接合におけるスピン注入の第一原理計算による解析(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

    本多 周太, 伊藤 博介, 井上 順一郎, 廣畑 貴文

    日本物理学会講演概要集   67 ( 1 )   477 - 477   2012年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 強磁性体/グラフェンナノリボン接合におけるスピン依存伝導 (関西大学先端科学技術推進機構10周年記念)

    本多 周太, 伊藤 博介, 佐藤 竜一, 平岩 知大, 山村 彰紀, 井上 順一郎

    関西大学先端科学技術シンポジウム講演集   16   66 - 69   2012年1月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:関西大学先端科学技術推進機構  

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  • 26aPS-19 スピン注入に対する界面共鳴状態の効果(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

    本多 周太, 伊藤 博介, 井上 順一郎

    日本物理学会講演概要集   66 ( 1 )   488 - 488   2011年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 26aPS-101 FM/Graphene/FM接合における磁気抵抗効果(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

    平岩 知大, 佐藤 竜一, 井上 順一郎, 本多 周太, 伊藤 博介

    日本物理学会講演概要集   66 ( 1 )   715 - 715   2011年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 26aPS-37 磁性体ドットにおけるスピン注入磁化反転のLLGシミュレーション(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

    本多 周太, 伊藤 博介

    日本物理学会講演概要集   66 ( 1 )   492 - 492   2011年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 26aPS-42 マグネタイト/Fe接合における磁気状態と交換結合(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

    木田 貴士, 本多 周太, 伊藤 博介, 井上 順一郎

    日本物理学会講演概要集   66 ( 1 )   493 - 493   2011年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 26aPS-1 スピネルフェライトの電子状態と磁気異方性II(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

    伊藤, 博介, 本多, 周太, 鈴木, 直, 井上, 順一郎, 柳原, 英人, 喜多, 英治

    日本物理学会講演概要集   66 ( 1 )   484   2011年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

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  • 23pPSB-65 強磁性金属/グラフェン/強磁性金属接合における磁気抵抗効果(23pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))

    本多 周太, 山村 彰紀, 平岩 知大, 井上 順一郎, 伊藤 博介

    日本物理学会講演概要集   65 ( 2 )   644 - 644   2010年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 25aPS-4 スピネルフェライトの電子状態と磁気異方性(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

    伊藤, 博介, 本多, 周太, 鈴木, 直, 井上, 順一郎, 柳原, 英人, 喜多, 英治

    日本物理学会講演概要集   65 ( 2 )   399   2010年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

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  • 22pPSA-60 Co_2MnSi/Cr/Co_2MnSiにおける層間交換結合(22pPSA 領域3ポスターセッション(酸化物・f電子系磁性・スピングラス・量子スピン・フラストレーション系・実験技術・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))

    掛布 亘, 本多 周太, 井上 順一郎, 伊藤 博介

    日本物理学会講演概要集   65 ( 1 )   512 - 512   2010年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 28aPS-104 Fe/GaAs/Fe接合における磁気抵抗効果(28aPS 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・フラストレーション系・実験技術),領域3(磁性,磁気共鳴))

    本多 周太, 井上 順一郎, 伊藤 博介

    日本物理学会講演概要集   64 ( 1 )   481 - 481   2009年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 28aTF-7 γ-Fe_2O_3(マグヘマイト)の電子状態とスピン・フィルター効果(28aTF 薄膜・バンド計算・理論,領域3(磁性,磁気共鳴))

    伊藤, 博介, 本多, 周太, 井上, 順一郎, 柳原, 英人, 喜多, 英治

    日本物理学会講演概要集   64 ( 1 )   471   2009年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

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  • 23aPS-27 Fe/GaAs接合におけるスピン注入と界面電子状態(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

    本多 周太, 井上 順一郎, 伊藤 博介

    日本物理学会講演概要集   63 ( 1 )   431 - 431   2008年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 20aTA-6 磁性半導体を用いたトンネル接合における磁気抵抗効果(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)

    本多 周太, 伊藤 博介, 井上 順一郎

    日本物理学会講演概要集   62 ( 1 )   681 - 681   2007年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 25pPSA-4 強磁性半金属・半導体接合系における界面状態とトンネル磁気抵抗(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

    本多 周太, 伊藤 博介, 井上 順一郎

    日本物理学会講演概要集   61 ( 2 )   555 - 555   2006年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 28aXB-6 GaAs/GdAs接合の界面電子状態とコンダクタンス(28aXB アンダーソン局在・その他,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

    本多 周太, 近藤 拓, 伊藤 博介, 井上 順一郎

    日本物理学会講演概要集   61 ( 1 )   679 - 679   2006年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 24aPS-10 半金属/半導体接合における電子状態とコンダクタンス(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))

    本多 周太, 近藤 拓, 伊藤 博介, 井上 順一郎

    日本物理学会講演概要集   60 ( 1 )   633 - 633   2005年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 28pPSB-18 半導体/半金属接合における電子状態と電気伝導(領域4ポスターセッション)(領域4)

    本多 周太, 近藤 拓, 伊藤 博介, 井上 順一郎

    日本物理学会講演概要集   59 ( 1 )   694 - 694   2004年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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講演・口頭発表等

産業財産権

  • 多値磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、多値磁気メモリ素子の制御方法、および制御プログラム

    本多周太, 木下敦寛, 園部義明

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    出願番号:特願2024-095354  出願日:2024年6月

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  • 多値磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、多値磁気メモリ素子の制御方法、および制御プログラム

    本多周太

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    出願番号:特願2023-156450  出願日:2023年9月

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  • 磁気素子および磁気構造体の生成方法

    本多周太

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    出願番号:特願2023-043519  出願日:2023年3月

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  • 磁気メモリ装置、磁気メモリ素子の制御方法、および制御プログラム

    本多周太, 加藤剛志, 大島大輝, 園部義明

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    出願番号:特願2023-020242  出願日:2023年2月

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  • 多値磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、多値磁気メモリ素子の制御方法、および制御プログラム

    本多周太

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    出願番号:特願2022-208638  出願日:2022年12月

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  • 磁気素子および磁気メモリ装置

    本多周太

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    出願番号:特願2022-007392  出願日:2022年1月

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  • 磁化制御デバイス及び磁気メモリ装置

    本多周太

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    出願番号:特願2021-063692  出願日:2021年4月

    特許番号/登録番号:特許第7555120号  登録日:2024年9月 

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  • 磁化制御デバイス及び磁気メモリ装置

    本多周太

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    出願番号:特願2021-063691  出願日:2021年4月

    特許番号/登録番号:特許第7555119号  登録日:2024年9月 

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  • 磁化制御デバイス、磁化制御デバイスの製造方法、及び磁気メモリ装置

    本多周太

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    出願番号:特願2020-217944  出願日:2020年12月

    特許番号/登録番号:特許第7539700号  登録日:2024年8月 

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  • 磁気メモリ素子及び磁気メモリ装置

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    出願番号:特願2020-172269  出願日:2020年10月

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  • 磁気メモリ素子及び磁気メモリ装置

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    出願番号:特願2020-167192  出願日:2020年10月

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  • 磁気メモリ素子及び磁気メモリ装置

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    出願番号:特願2019-196644  出願日:2019年10月

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  • レーストラック磁気メモリ装置、及びその書き込み方法

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    出願番号:特願2019-196645  出願日:2019年10月

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  • 磁気メモリ素子及び磁気メモリ装置

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    出願番号:特願2019-196646  出願日:2019年10月

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  • 高速磁化反転方法、高速磁化反転デバイス、及び磁気メモリ装置

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    出願番号:特願2019-100670  出願日:2019年5月

    特許番号/登録番号:特許7360121 

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  • 磁気素子、磁気素子を製造する方法、および磁気メモリ装置

    本多 周太, 田中 雅章

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    出願人:学校法人 関西大学, 国立大学法人 名古屋工業大学

    出願番号:特願2016-049981  出願日:2016年3月

    公開番号:特開2017-168514  公開日:2017年9月

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  • 磁気装置

    本多 周太, 末益 崇, 伊藤 啓太

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    出願人:国立大学法人 筑波大学

    出願番号:特願2013-209545  出願日:2013年10月

    公開番号:特開2015-076419  公開日:2015年4月

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  • 発振素子

    家形 諭, 木村 崇, 本多 周太

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    出願人:国立大学法人九州大学

    出願番号:JP2013065217  出願日:2013年5月

    公開番号:WO2013-180277  公開日:2013年12月

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  • 磁化反転装置

    木村 崇, 本多 周太, 伊藤 博介

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    出願人:国立大学法人九州大学, 国立大学法人 筑波大学, 学校法人 関西大学

    出願番号:特願2013-082098  出願日:2013年4月

    公開番号:特開2014-204106  公開日:2014年10月

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