Materials Research Society

エレクトロニクス実装学会

磁気学会

Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓoｃｉｅｔｙ

IEEE

Fabrication and optical property of metal nanowire arrays embedded in anodic porous alumina membrane

Takase, Kouichi, Shimizu, Tomohiro, Sugawa, Kosuke, Shingubara, Shoso

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55, 6, 1, 06GH09   2016年6月

Oxidation of CuSn alloy nanotree and application for gas sensors

Kaneko, Naoto, Shimizu, Tomohiro, Tada, Yoshihiro, Kaneko, Naoto, Shingubara, Shoso

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55, 6, 1, 06GH08   2016年6月

Formation of three-dimensional nano-trees with perpendicular branches by electrodeposition of CuSn alloy

Shimizu, Tomohiro, Tada, Yoshihiro, Kaneko, Naoto, Shingubara, Shoso

SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY   294, 83-89   2016年5月

Polarized hard X-ray photoemission system with micro-positioning technique for probing ground-state symmetry of strongly correlated materials

Fujiwara, Hidenori, Naimen, Sho, Higashiya, Atsushi, Shingubara, Shoso

JOURNAL OF SYNCHROTRON RADIATION   23, 735-742, 3   2016年5月

Fabrication of nanocone arrays by two step metal assisted chemical etching method

Shimizu, Tomohiro, Tanaka, Norihiro, Tada, Yoshihiro, Shingubara, Shoso

MICROELECTRONIC ENGINEERING   153, SI, 55-59   2016年3月

Band gap tuning of Ni1-x MgxO films by radio-frequency sputter deposition for deep-ultraviolet photodetectors

Nishitani, Hiroki, Ohta, Kohei, Kitano, Sosuke, Shingubara, Shoso

APPLIED PHYSICS EXPRESS   9, 3, 039201   2016年3月

Nitridation of silicon by nitrogen neutral beam

Hara, Yasuhiro, Shimizu, Tomohiro, Shingubara, Shoso

APPLIED SURFACE SCIENCE   363, 555-559   2016年2月

Electrodeposited ZnO thin film on twin sensor QCM for sensing of ethanol at room temperature

Ito, Takeshi, Fujii, Yudai, Yamanishi, Noriyoshi, Shimizu, Tomohiro, Shingubara, Shoso

PROCEEDINGS OF THE 30TH ANNIVERSARY EUROSENSORS CONFERENCE - EUROSENSORS 2016   168, 411-414   2016年

Antibacterial characteristics of Si nano-pillar array

Ito, Takeshi, Nakade, Kazuki, Asai, Naoto, Shimizu, Tomohiro, Shingubara, Shoso

2016 IEEE 16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY (IEEE-NANO)   82-84   2016年

Oxide thickness dependence of resistive switching characteristics for Ni/HfOx/Pt resistive random access memory device

Ito, Daisuke, Hamada, Yoshihumi, Otsuka, Shintaro, Shimizu Tomohiro, Shingubara Shoso

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54, 6, 1, 06FH11   2015年6月

Suppression of switching voltage variation by controlling filament formation in In/porous alumina/Al resistive change random access memory

Tanimoto, Yusuke, Otsuka, Shintaro, Shimizu, Tomohiro, Shingubara, Shoso

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54, 6, 1, 06FH05   2015年6月

Nitridation of Si surface at the bottom of submicron trench using nitrogen neutral beam

Hara, Yasuhiro, Shimizu, Tomohiro, Shingubara, Shoso

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54, 6, 1, 06FH07   2015年6月

Magnetoresistance of conductive filament in Ni/HfO2/Pt resistive switching memory

Otsuka, Shintaro, Hamada, Yoshifumi, Ito, Daisuke, Shimizu, Tomohiro, Shingubara, Shoso

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54, 5, SI, 05ED02   2015年5月

Dynamic moderation of an electric field using a SiO2 switching layer in TaOx-based ReRAM

Wang, Qi, Itoh, Yaomi, Tsuruoka, Tohru, Shingubara, Shoso

PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS   9, 3, 166-170   2015年3月

Glyoxylic Acid as Reducing Agent for Electroless Copper Deposition on Cobalt Liner

Fumihiro Inoue, Harold Philipsen, Marleen van der Veen, Stefaan Van Huylenbroeck, Silvia Armini, Herbert Struyf, Shoso Shingubara, Tetsu Tanaka

ECS Trans   64:63-75   2015年

Cu Displacement Plating on Electroless Plated CoWB Layer on SiO2 and Its Adhesion Property

Kohei Ohta, Fumihiro Inoue, Tomohiro Shimizu, Shoso Shingubara

ECS Trans   64:57-61   2015年

Ferromagnetic nano-conductive filament formed in Ni/TiO2/Pt resistive-switching memory

新宮原 正三

Appl. Phys.A   118 , 613-619   2015年

Resistance Switching Phenomenon Associated with Anisotropic Magnetoresistance of the ReRAM Device with Ferromagnetic Electrodes Poster Session

Daisuke Ito, Hayato Yoshida, Tomohiro Shimizu, Shoso Shingubara

ECS Trans   69:111-115   2015年

Stability Evaluation of Non-Agglomerated Pd Nanoparticle Catalyst Dispersion for Electroless Deposition

Noriaki Nakamura, Junichi Taniuchi, Takayuki Sone, Kotoe Sasaki, Fumihiro Inoue, Tomohiro Shimizu, Shoso Shingubara

ECS Trans   64:77-84   2015年

Development of Glyoxylic Acid Based Electroless Copper Deposition on Ruthenium

Fumihiro Inoue, Harold Philipsen, Marleen van der Veen, Stefaan Van Huylenbroeck, Silvia Armini, Herbert Struyf, Shoso Shingubara, Tetsu Tanaka

ECS Trans   64:41-55   2015年

Fabrication of ordered array of anodic alumina oxide nanopores ewith interpore distance smaller than th pitch of nano pits formed by ion beam etching

新宮原 正三

J.of Materials Sciences and nanotechnology   1-1, 10-14   2014年

Diffusion suppression in vapor-liquid-solid Si nanowire growth by a barrier layer between the Au catalyst and substrate“,

新宮原 正三

Journal of Crystal Growth   404, 192-198   2014年

Improvement of adhesion strength of electroless barrier layer and its application to TSV process

新宮原 正三

ECS Transactions   58(17), 59-65   2014年

Effect of confining filaments on the current-voltage characteristics of resistive change memory by using anodic porous alumina

新宮原 正三

Jpn. J. Appl. Phys   53(6), 06JF07   2014年

Anisotropic Magnetoresistance of Ferromagnetic Conductive Filament in Resistive Switching Memory ReRAM

Shintaro Otsuka, Yoshifumi Hamada, Tomohiro Shimizu, Shoso Shingubara

ECS Trans   64:29-35   2014年

Study on Oxide Thickness Dependence of Current-Voltage Characteristics for HfOx Based ReRAM Device Poster Session

Yoshifumi Hamada, Shintaro Otsuka, Tomohiro Shimizu, Shoso Shingubara

ECS Trans   64:93-98   2014年

Fabrication of vertical CZTS nanowires arrays by two-step electroplating method into anodic alumina oxide template”,

新宮原 正三

J.of Materials Sciences and Nanotechnology   1(1), 1-5   2014年

Morphology dependence of optical reflectance properties for a high-density array of silicon nanowires

新宮原 正三

Jpn. J. Appl. Phys.   53-6, 06JF10   2014年

Temperature dependence of resistance of conductive nanofilament formed in Ni/NiOx/Pt resistive switching random access memory

新宮原 正三

Jpn. J. Appl. Phys   53-5,05GD01   2014年

Temperature Dependence of Resistance in Conductive Filament Formed with

新宮原 正三

ECS Transaction   58巻pp. 27-31   2013年6月

Control of Adhesion Strength and TSV Filling Morphology of Electroless Barrier Layer

新宮原 正三

ECS Transaction   56巻   2013年3月

Electric Conduction Mechanism of Resistive Switching Memory

新宮原 正三

ECS Transaction   50巻pp. 49-54   2013年3月

Improvement of the Reproducibility of the Switching Voltage of Resistance Change Random Access Memory by Restricting Formation of Conductive Filaments

新宮原 正三

Japanes Journal of Applied Physics   vol.52, pp. 06GF07-04   2013年

Temperature Dependence of Resistance of Conductive Filament

新宮原 正三

Japanese Journal of Applied Physics   52巻06GF04   2013年

Electroless Cu deposition on atomic layer deposited Ru as novel seed formation process in through-Si vias

新宮原 正三

Electrochimica Acta   vol. 100,pp.203-2011   2013年

Highly adhesive electroless barrier/Cu-seed formation for high aspect ratio through-Si vias

新宮原 正三

Microelctronic Engineering   vol.106,pp.164-167   2013年

Control of Crystal Orientation and Diameter of Silicon Nanowire Using Anodic Aluminum Oxide Template

新宮原 正三

Japanese Journal of Applied Physics   vol.52 , pp. 06GF07-04   2013年

Temperature dependence of resistance of conductive filament formed by dielectric breakdown

新宮原 正三

Jpn. J. Appl. Phys.   52, 06GF04-5   2013年

Improved control of silicon nanowire growth by the vapor–liquid–solid method using a diffusion barrier layer between catalyst and substrate

新宮原 正三

Journal of Crystal Growth   vol.369, pp.1-7.   2013年

Resistive switching characteristics of NiO/Ni nanostructure

S.Otsuka, S. Furuya, R.Takeda, T.Shimizu, S.Shingubara, T.Watanabe, Y.Takano, K.Takase

MICROELECTRONIC ENGINEERING   98, 367-370   2012年10月

Additional Electrochemical Treatment Effects on the Switching Characteristics of Anodic Porous Alumina Resistive Switching Memory

S.Otsuka, R.Takeda, S.Furuya, T.Shimizu, S.Shingubara, T.Watanabe, Y.Takano, K.Takase

Jpn.J.Appl.Phys.   51-06, 06FF11   2012年6月

Evaluation of crystal structure of porous Si nanowires prepared by metal assisted etching

T.Yamaguchi, T.Shimizu, C.Wang, M.Inada, S.Shingubara, A Kuzunetsov, J.Vanacken, V.Moschchalkov

Materials Research Society Symp. Proc.   1439,AA03-02   2012年

Additional Electrochemical Treatment Effects on the Switching Characteristics of Anodic Porous Alumina Resistive Switching Memory

S.OtsukaS, R.Takeda, S.Furuya, T.shimizu, S.Shingubara, T.Watanabe, T.Takano, K.Takase

51-06,06EF11   2012年

Formation of 1D and 2D Gold Nanoparticle Arrays by Divalent DNA-Gold Nanoparticle Conjugates

Y.Ohya, N.Miyoshi, M.Hashizume, T.Tamaki, T.Uehara, S.Shingubara, A.Kuzuya

Small   8,2335-2340   2012年

Origin of visible photoluminescence from arrays of vertically arranged Si-nanopillars decorated with Si-nanocrystals

A S Kuznetsov, T Shimizu, S N Kuznetsov, A V Klekachev, S Shingubara, J Vanacken, V Moshchalkov

Nanotechnlogy   23, 475709 -475715.   2012年

Adsorption of Pd nanoparticles catalyst in high aspect ratio through-Si vias for electroless deposition

F. Inoue, T. Shimizu, H. Miyake, R. Arima, T. Ito, H. Seki, Y. Shinozaki, T. Yamamoto, S. Shingubara

Electrochimica Acta   82, 372-377   2012年

AgNO3-Dependent Morphological Change of Si Nanostructures Prepared by Single-Step Metal Assisted Etching Method

T.Shimizu, T.Yamaguchi, F.Inoue, S.Shingubara

Jpn.J.Appl.Phys.   51-11,Part2, PE02   2012年

Fabrication of an Array of Ni/NiO Nanowire-ReRAM Using AAO Template on Si

T.Shimizu, Y.Sumita, F.Inoue, T.Minoguchi, S.Shingubara

e-Journal of surface Science and Nanotechnology   10,476-479   2012年

Electroless Copper bath stability monitoring with UV-VIS Spectrometry, pH, and mixed potential measurements

F.Inoue, H.Philipsen, A.Radisic, S.Armini, Y.Civale, S.Shingubara, P.Leunissen

J. Electrocemical Society   159-7, D437-D441   2012年

“Formation and characterization of single-step electro- deposited Cu2ZnSnS4 thin films: Effect of complexing agent volume”,

M. Jeon, S. Tanaka(NICT, T. Shimizu, S. Shingubara

Energy Procedia   10, 255–260   2011年

“Preparation of Ultrahigh-Density Magnetic Nanowire Arrays beyond 1 Terabit/Inch2 on Si Substrate Using Anodic Aluminum Oxide Template”

T. Shimizu, K. Aoki(D, S. Tanaka(NICT, T. Terui(NICT, S. Shingubara

Jpn. J. of Appl. Phys.   50, 06GE01-04   2011年

”Control of Crystal Orientaion of Epitaxial Si nanowires on Si Substrate Using AAO template”

T. Shimizu, Q. Wang(D, C. Wang(D, F. Inoue(D, M. Koto(キヤノン, M. Jeon, S. Shingubara

Jpn. J. of Appl. Phys.   50, 06GE01-04   2011年

“Large Magnetoresistance Switching Phenomena in Nanoconduction Path Formed with Dielectric Breakdown of SiO2 Multilayered with Ferromagnetic Film”,

Y. Shiotani(D, K. Shimomura(D, T. Shimizu, S. Shingubara

Jpn. J. Appl. Phys.   50, 06GG15-20   2011年

“Formation of electroless barrier and seed layers in a high aspect ratio through-Si vias using Au nanoparticle catalyst for all-wet Cu filling technology”

F. Inoue(D, T. Shimizu, T. Yokoyama(D, H. Miyake(D, K. Kondo, T. Saito, T. Hayashi, S. Tanaka(NICT, T. Terui(NICT, S. Shingubara

Electrochimica. Acta   56, 6245-6250   2011年

“Formation and Evaluation of Electroless-Plated Barrier Films for High-Aspect-Ratio Through-Si Vias”

H. Miyake, F. Inoue(D, T. Yokoyama(D, T. Shimizu, S. Tanaka(NICT, T. Terui(NICT, S. Shingubara

Jpn. J. Appl. Phys.   50, 05ED01   2011年

”Control of Crystal Orientaion of Epitaxial Si nanowires on Si Substrate Using AAO template”

M. Jeon, T. Shimizu, S. Shingubara

Materials Research Society   1350E, EE03-02   2011年

Addition of PEG-Thiol to Cu Electroless Plating Bath for Realizing Perfect Conformal Deposition in Through-Si Via Holes for 3-D Integration

F. Inoue, T. Yokoyama, S. Shingubara, K. Yamamoto, S. Tanaka

25-38   2010年

Reduction of pitch of nanohole array by self-organizing anodic oxidation after nanoimprintin

S. Shingubara, S. Maruo, T. Yamashita, M. Nakao, T. Shimizu

87   2010年

Effect of PEG molecular weight on bottom-up filling of copper electrodeposition for PCB interconnects

Yin L, Liu ZH, Yang ZP, Wang ZL, Shingubara, S

88-3   2010年

Strain imaging of a perpendicular recording head in a Hard Disk Drive

K.Takata, N.Kurata, S.Tamura, S.Shingubara, S.Nakahara, N.Tagawa, Y.Arai

322-6   2010年

TRIAXIS MAGNETORESISTIVE (MR) SENSOR USING PERMALLOY PLATE OF DISTORTING MAGNETIC FIELD

Suzuki M, Fukutani T, Hirata T, Aoyagi S, Shingubara S, Tajiri H, Yoshikawa Y, Nagahata T

2010年

Cu Deposition Characteristics in Through-Si-Via by Electroless Plating with Addition of Inhibitors

F.Inoue, M.Koyanagi, T.Fukushima, K.Yamamoto, S.Tanaka, Z.Wang, S.Shingubara

ECS Transactions   16(22), pp.27-32   2009年

Vertical Epitaxial Wire-on-Wire Growth of Ge/Si on Si (100) Substrate

T. Shimizu, Z. Zhang, S. Shingubara, S. Senz, U. Goesele

Nano Lett   9 (4), pp.1523-1526   2009年

Measurement of electromigration-induced stress in aluminum alloy interconnection

K.Kusaka, T.Hanabusa, S.Shingubara, T.Matsue, O,Sakata

Vacuum   83, pp.637-640   2009年

Filling of FePt in AAO Nanohole Array by DC Pulsed Electrodeposition

H.Mori, T.Korenaga, N.Hosomi, T.Terui, S.Shingubara

ECS Transactions   16 (45), pp.65-71   2009年

Investigations of Cu Filling in Through-Si Via Holes Using Direct Electroless Plating on CVD-W

F.Inoue, M.Koyanagi, T.Fukushima, K.Yamamoto, S.Tanaka, Z.Wang, S.Shingubara

ADMETA 2009   2008年9月

Characterization of sputtered tungsten nitride film and its application to Cu electroless plating

ZL Wang, ZH Liu, ZP Yang, S.Shingubara

MICROELECTRONIC ENGINEERING   85-2, pp.395-400   2008年

Synthesis of vertical high-density epitaxial Si(100) nanowire array on a Si (100) substrate using an anodic aluminum oxide template

T.Shimizu, T.Xien, J.Nishikawa, S.Shingubara, S.Senz, U.Gosele

Adv. Mater   19, pp.917   2007年5月

Synthesis of epitaxial Si(100) nanowires on Si (100) substrate using vapor-liquid-solid growth in anodic aluminum oxide nanopore array

T.Shimizu, S.Senz, S.Shingubara, U.Gosele

Applied Physics   A87, pp.607-610   2007年2月

Thermal Stress Behavior in Nano-size Thin Aluminum Films

T.Hanabusa, K.Kusaka, S.Shingubara, O.Sakata

International J. of Modern Physics B   20, pp.4691-4696   2006年7月

Epitaxial growth of Cu nanodot arrays using an AAO template on a Si substrate

T.Shimnizu, M.Nagayanagi, T.Ishida, O.Sakata, T.Oku, H.Sakaue, T.Takahagi, S.Shingubara

Electrochemical and Solid-State Letters   9 (4), pp.J13-J16   2006年4月

Fabrication of Carbon Nanotube and Nanorod Arrays Using Nanoporous Templates

S. Huang, T. Shimizu, H. Sakaue, S.Shingubara, T. Takahagi

Japanese Journal of Applied Physics   44-7A, pp.5289-5291   2005年7月

In-situ observation of thermal stresses in nano-size Thin Aluminum Films

T.Hanabusa, K.Kusaka, S.Shingubara, O.Sakata

Materials Science Forum   490-491, pp.577-582.   2005年6月

Formation of Damascene Interconnections and Its Electrical Characteristics by Bottom-up Electroless Cu plating

Z.Wang, R.Obata, O.Yaegashi, T.Hao, H.Sakaue, T.Takahagi, S.Shingubara

Mat.Res.Soc.Symp.Proc. .   AMC-XX, pp.299-304   2005年

Epitaxial Silicon Growth by Load-Lock Low Pressure Chemical Vapor Deposition System for Elevated Source/Drain Formation

M.Nakano, H. Kotaki, K. Ohta, S. Shingubara

Japanese Journal of Applied Physics   44-1, pp.1-4   2005年

Contact Resistance Reduction Using Vacuum Loadlock System and Plasma Dry Cleaning

H. Miya, S. Shingubara, H. Sakaue, T. Takahagi

Japanese Journal of Applied Physics   44-6A, pp.3860-3863   2005年

Bottom-up fill of Cu in deep submicron holes by electroless plating

S.Shingubara, Z.Wang, S.Yaegashi, R.Obata, H.Sakaue, T.Takahagi

Electrochem. Solid-State Letters,   7, pp.C78-C80.   2004年

Control of Self-Organization Conditions of Porous Alumina Film Using a Mixture of Oxalic Acid and Sulfuric Acid

S.Shingubara, K.Morimoto, H.Sakaue, T.Takahagi

Electrochemical and Solid-state Letters   7 (3) pp.E15-E17   2004年

Effects of the surface pressure on the formation of Langmuir-Blodgett monolayer of nanoparticles

Huang S, Minami K, Sakaue H, Shingubara S, Takahagi T

Langmuir   20,p.2274   2004年

Formation of ultra high density ferromagnetic column arrays beyond 1 Tera/inchi2 using porous alumina template

SHINGUBARA Shozo, T.Shimizu, N.Nagayanagi, Y.Fujii, O.Yaegashi, G.R.Wu, H.Sakaue, T.Takahagi, S.Sakata

Transaction of Magnetic Society of Japan   4, 231-234   2004年

Wet treatment for preparing atomically smooth Si(100) wafer surface

H.Sakaue, T.Taniguchi, Y.Okamura, S.Shingubara, T.Takahagi

Applied Surface Science,   234,pp.39-444   2004年

Effect of Additives on Hole Fill Property in Electroless Copper Plating

Z. Wang, O. Yaegashi, H. Sakaue, T. Takahagi, S. Shingubara

Jpn.J.Appl.Phys.   43-10, pp.7000-7001,   2004年

Bottom-up fill for Submicrometer Copper Via Holes of ULSIs By Electroless Plating

Z. Wang, O. Yaegashi, H. Sakaue, T. Takahagi, S. Shingubara

J of Electrochemical Society   151 (12) , pp. C781-C785   2004年

Aspect Ratio Dependence of Magnetic Hysteresis Property of High Density Co Wire Array Buried In Porous Alumina Template

S.Shingubara, K.Morimoto, M.Nagayanagi, T.Shimizu, O.Yaegashi, G.R.Wu, H.Sakaue, T.Takahagi, K.Takase

J. Magnetics and Magnetic Materials   272-276, pp.1598-1599.   2004年

Pulsed DC and AC Electromigration Studies of Cu Dual damascene Interconnects

S.Shingubara, K.Oshima, H.Ting, T.Ishida

AIP Conf. Proc.   741, pp.180-187   2004年

Formation of 10 nm Continuous Cu Film in a Fine Hole by Electroless Plating for Seed Layer Application

Z.Wang, O.Yaegashi, H.Sakaue, Takahagi, S.Shingubara

Mat.Res.Soc.Symp.Proc.   AMC-XIX, pp.567-572.   2004年

Electroless Plating of Cu Initiated by Displacement Reaction on Metal-Nitride Diffusion Barriers

Zenglin Wang, Hiroyuki Sakaue, Shoso Shingubara, Takayuki Takahagi

Electrochem. Solid-State Lettters,   6 (3) , pp. C38-C41.   2003年

Formation of Nanomaterials by Porous Alumina Template” -Review Paper

SHINGUBARA Shozo

J.of Nanoparticle Research   5, pp.17-30.   2003年

Depth profile analysis of polyimide film treated by potassium hydroxide

Okumura H, Takahagi T, Nagai N, Shingubara S

JOURNAL OF POLYMER SCIENCE PART B-POLYMER PHYSICS   41-17 , pp.2071-2078.   2003年

Bottom-up Fill of Copper in High Aspect Ratio Via Holes by Electroless Plating

S.Shingubara, Z.Wang, O.Yaegashi, R.Obata, H.Sakaue, T.Takahagi

Technical Digest of IEEE IEDM   pp.147-150   2003年

Formation of Aluminum Nanodot Array by Combination of Nano-indentation and Anodic Oxidation of Aluminum

Shoso Shingubara, Yusuhiko Murakami, Kazunori Morimoto, Takayuki Takahagi

Surface Science   532-535, pp.317-323.   2003年

Thickness Dependence of Hysteresis Property of Ferromagnetic Dots

Guang Ri Wu, Shoso Shingubara, Koji Watanabe, Hiroyuki Sakaue, Takayuki Takahagi

Jpn.J.Appl.Phys   42, pp.5038-5039.   2003年

Low Dielectric Constant Porous Diamond Films Formed by Diamond Nano-Particles

H.Sakaue, N.Yoshimura, S.Shingubara, T.Takahagi

Appl.Phys.Lett.   83 (11) pp.2226-2228.   2003年

Influence of Surface Oxide of Sputtered TaN on Displacement Plating of Cu

Zenglin Wang, Hiroyuki Sakaue, Shoso Shingubara, Takayuki Takahagi

Jpn.J.Appl.Phys.   42 pp.1843-1846.   2003年

Electroless plating of Cu using ICB deposited Pd catalysis layer

Z. Wang, S. Yaegashi, H.Sakaue, T.Takahagi, S.Shingubara

Jpn.J.Appl.Phys. Express Letter,   42 ,pp.L1223-L1225.   2003年

Suppression of native oxide growth in sputtered TaN films and its application for Cu electroless plating

Z. Wang, S. S.Yaegashi, H.Sakaue, S.Shingubara, Takahagi

J.Appl.Phys.   94, p.4697.   2003年

Off-time Dependence of Electromigration MTF in Pulsed DC Stressing Tests

S.Miyazaki, S.Shingubara, H.Sakaue, T.Takahagi

Mat.Res.Soc.Conf.Proc.   ULSI-XVIII, pp.279-284.   2003年

Computer-Aided Chemistry Estimation Method of Electronic-Polarization Dielectric Constants for the Molecular Design of Low-k Materials

Takayuki Takahagi, Atsushi Saiki, Hiroyuki Sakaue, Shoso Shingubara

Jpn. J. Appl. Phys.   42, pp. 157-161.   2003年

Evaluation of Temperature Rise Due to Joule Heating and Preliminary Investigation of Its Effect on Electromigration Reliability

S.Shingubara, S.Miyazaki, H.Sakaue, T.Takahagi

American Institute of Physics Conf Proc.   vol.612, pp.94-104.   2002年

A Novel Method to Improve Adhesion of Electroless Copper Deposition on Polyimidde Substrate

Z.Wang, A.Furuya, K.Yasuda, H.Ikeda, T.Baba, M.Hagiwara, S.Toki, S.Shingubara, H.Kubota, T.Ohmi

J. Adhesion Technology,   16 , pp.1027-1040.   2002年

Direct Electroless Copper Plating on Barrier Metals without Pd Catalyst

Z. Wang, T. Ida, H. Sawa, H. Sakaue, S. Shingubara, T. Takahagi

MRS Conf. Proc.   ULSI-XVII , pp.185-190.   2002年

Optical spectroscopic studies of the dispersibility of gold nanoparticle solutions

Huang SH, Minami K, Sakaue H, Shingubara S, Takahagi T

J. Appl.Phys.   92 (12),pp.7486-7490   2002年

Formation of Al Dot Hexagonal Array on Si Using Anodic Oxidation and Selective Etching

S.Shingubara, Murakami, H.Sakaue, T.Takahagi

Jpn.J.Appl.Phys.   41, pp.L340-343.   2002年

Improved Mechanical Strength of Porous Diamond Film by HCDS treatment

H. Sakaue, N. Yoshimura, S. Shingubara, T. Takahagi

MRS Conf.Proc.   ULSI-XVII , pp.313-318..   2002年

Formation of a Large-scale Langmuir-Blodgett Monolayer of Alkanethiol-encapsulated Gold Particles

S. Huang, G. Tsutsui, H. Sakaue, S. Shingubara, T. Takahagi

J. Vac. Sci. Technol.   B19,pp. 115-120   2001年

Low Dielectric Constant Porous Diamond Film Composed of Diamond Nano-Particles”

H.Sakaue, Y.Yoshimura, S.Shingubara, T.Takahagi

Mat.Res.Soc.Conf.Proc.   ULSI-XVI pp.647-652..   2001年

Study of dielectric constant due to electronic polarization using a semiemperical molecular orbital method I

K. Yamada, A.Saiki, S.Sakaue, S.Shingubara, T.Takahagi

Jpn.J.Appl.Phys.   40, pp.4829-4836.   2001年

Effect of Pd Catalyst Adsorptionon on Cu Filling Characteristics in Electroless Plating

S. Shingubara, T. Ida, H. Sawa, H. Sakaue, T. Takahagi

Mat.Res.Soc.Conf.Proc.   ULSI-XVI pp.229-234.   2001年

Experimental Conditions for a highly ordered monolayer of gold nanoparticles fabricated by the Langmuir-Blodgett method

S.Huang, G.Tsutsui, H.Sakaue, S.Shingubara, T.Takahagi

J.Vac.Sci.Technol.   B19, pp. 2045-2049   2001年

Atomic-scale defect control on hydrogen-terminated silicon surface at wafer scale

H.Sakaue, S.Fujiwara, S.Shingubara, T.Takahagi

Appl. Phys. Lett.   86, pp.309-311.   2001年

Fabrication of Nanohole Array on Si Using Self-Organized Porous Alumina Mask

S.Shingubara, O.Okino, H.Sakaue, T.Takahagi

J.Vacuum Sci.Technol.   B 19, pp.1901-1904.   2001年

Scanning Electron Microscope Observation of Heterogeneous Three-Dimensional Nanoparticle Arrays Using DNA

T.Takahagi, G.Tsutsui, S.Huang, H.Sakaue, S.Shingubara

Jpn.J.Appl.Phys.   40, pp.L521-L523.   2001年

Adsorbed Water on a Silicon Wafer Surface Exposed to Atmosphere

T.Takahagi, H.Sakaue, S.Shingubara

Jpn.J.Appl.Phys.   40, pp.6198-6201.   2001年

Well-size-controled Colloidal Nanoparticles Dispersed in Organic Solvent

G.Tsutsui, S.Huang, H.Sakaue, S.Shingubara, T.Takahagi

Jpn.J.Appl.Phys.   40, pp.346-349.   2001年

Electromigration induced edge drift velocity measurement by Blech pattern attached with multiple voltage proves

S.Shingubara, T.Osaka, H.Sakaue, T.Takahagi, A.H.Verbruggen

Mat.Res. Soc. Proc.   ULXI-XV, pp.727-733   2000年

Electrical Properties of Self-organized Nanostructures of Alkanethiol-encapsulated gold particles

S.Huang, G.Tsutsui, H.Sakaue, S.Shjingubara, T.Takahagi

J. Vac. Sci.&Tech.   B 18-6, pp.2653—2657   2000年

Multiprobe resistance change monitoring of Blech pattern during electromigration testing

S.Shingubara, T.Osaka, H.Sakaue, T.Takahagi, A.H.Verbruggen

American Institute of Physics Proceedings   278, pp.138-149.   1999年

Self-Organized Gold Nanodots Array on a Silicon Substrate and Its Mechanical Stability

G.Tsutsui, S.Huang, H.Sakaue, S.Shingubara, T.Takahagi

Jpn.J.Appl.Phys.   38 pp.L1488-1490.   1999年

Two Dimensional Nanowire Formation on Si Substrate Using Self-organized Nanoholes of Anodically Oxidized Aluminum

S.Shingubara, O.Okino, Y.Sayama, H.Sakaue, T.Takahagi

Solid State Electronics   43 pp.1143-1146.   1999年

Control of Interdot Space and Dot Size in a Two-Dimensional Gold Nanodot Array

S. Huang, G. Tsutsui, H. Sakaue, S. Shingubara, T. Takahagi

Jpn. J. Appl. Phys.   38 , pp.L473-L476   1999年

Correlation between Agglomeration of a Thin Film and Reflow-Filling in a Contact Hole for Sputtered Al Films

S.Shingubara, H.Kotani, H.Sakaue, F.Nishiyama, T.Takahagi

J. of Vacuum Science and Technology B,   B17 pp.2553-2558.   1999年

Electromiogration Reliability Study of a GMR Spin Valve Devices

S.Shingubara, Y.Takeda, H.Sakaue, T.Takahagi

MRS Symp.Proc.   563, pp.145-150.   1999年

Directional Copper Deposition Using DC Magnetron Self-Sputtering

Z.J.Radzimski, W.P.Posadowski, S.M.Rossnagel, S.Shingubara

J.Vac.Sci.&Tecnol.   B16 pp.1102 - 1106.   1998年

Growth of Galium Phosphide Layers by Chemical Beam Epitaxy on Oxide Patterned (001) Silicon Substrate

V. Narayan, S.Mahajan, N.Sukidi, N.Dietz, K.J.Bachmann, S.Shingubara

Mater. Sci. Eng.   B54 pp. 207-209.   1998年

Self-organization of a Two-dimensional Array of Gold Nanodots Encapsulated by Alkanethiol

S.Huang, H.Sakaue, S.Shingubara, T.Takahagi

Jpn.J.Appl.Phys.   37 pp.7198-7201.   1998年

Optical Emission Spectroscopy of High Density Metal Plasma Formed during Magnetron Sputtering

Z.J.Radzimski, O.E.Hankins, J.J.Cuomo, W.P.Posadowski, S.Shingubara

J.Vac.Sci.Technol.(   Vol.B 15 No.2, pp. 202-208.   1997年

Scanning Tunneling Microscopy Observation on the Atomic Structure on Step Edge Pits on a NH4F-Treated Si(111) Surface

H.Sakaue, E.Takahashi, T.Tanaka, S.Shingubara, T.Takahagi

Jpn.J.Appl.Phys.   36 , pp.1420-1423.   1997年

LSI配線信頼性技術における課題と今後の方向

新宮原 正三

日本信頼性学会誌(REAJ)   19巻4号 PP.257-262   1997年

Ordered Two Dimensional Nanowire Array Formation Using Self-Organized Nanoholes of Anodically Oxidized Aluminum

S.Shingubara, O.Okino, Y.Sayama, H.Sakaue, T.Takahagi

Jpn.J.Appl.Phys.   36-12, pp.7791-7795   1997年

Highly Selective SiO2 Etching Using CF4/C2H4

H.Sakaue, A.Kojima, N.Osada, S.Shingubara, T.Takahagi

Jpn.J.Appl.Phys.   vol.36 , pp.2477-2481.   1997年

Void Elongation Phenomena Observed in Polycrystalline Cu Interconects at a High Current Density Stressing Condition

S.Shingubara, S.Kajiwara, T.Osaka, H.Sakaue, H.Takahagi

Mat.Res.Soc.Symp.Proc.   vol. 473 pp.229-234.   1997年

Void Formation Mechanism at No Current Stressed Area

S.Shingubara, T.Osaka, S.Abdeslam, H.Sakaue, T.Takahagi

American Institute of Physics Proceedings ,   vol. 418 pp.159-170.   1997年

A Model for Resolution Dependent Roughness Values Measured by an Optical Profiler for Specific Surfaces

M.Furukawa, S.Shingubara, Y.Horiike

Jpn.J.Appl.Phys.   Vol.36 pp. 3750-3754.   1997年

Gap-filling of Cu Employing Sustained Self-sputtering with Inductively Coupled Plasma Inization

T.Ichiki, T.Kikuchi, A.Sano, S.Shingubara, Y.Horiike

Jpn.J.Appl.Phys.   vol.36 pp.1469-1472.   1997年

Al-selective CVD induced by hydrogen desorption on Si

H.Sakaue, Katsuta, S.Konagata, S.Shingubara, T.Takahagi

Jpn.J.Appl.Phys.   vol.35 p.1010-1013.   1996年

Initial Stage of Titanium Silicide Formation on Si(111) Substrate

SHINGUBARA Shozo

Mat.Res. Soc.Symp.Proc.   vol.402, pp.137-142   1996年

Surface Morphologies of Sputter-deposited Aluminum Films Studied Using a High Resolution Phase Measuring Laser Interferometric Microscope

M.Furukawa, Y.Yamamoto, H.Ikakura, N.Tanaka, M.Hashimoto, A.Sano, S.Shingubara

J.of Applied Optics ,   vol. 35,NO. 4, pp. 701-707   1996年

Self-sputtering of Cu film employing highly ionized Cu plasma

A.Sano, H.Kotani, H.Sakaue, S.Shingubara, T.Takahagi, Y.Horiike, Z.J.Radzimski

Mat.Res.Soc.Conf. Proc.   ULSI-XI pp.709-715.   1996年

Fabrication of a Si nanometer column PN junction and implanted damage evaluation by TEM

H.Sukesako, T.Kawasaki, K.Inoue, H.Sakaue, S.Shingubara, T.Takahagi

Jpn.J.Appl.Phys.   vol.35 pp.1045-1048.   1996年

High rate bias sputtering filling of SiO2 film employing both continuous wave and time-modulated inductively coupled plasmas

Y.Kobayashi, Y.Chinzei, H.Asanome, R.Kurosaki, J.Kikuchi, S.Shingubara, Y.Horiike

Jpn.J.Appl.Phys.   vol.35, pp.1474-1477.   1996年

Cu deposition Characteristics into submicron contact holes employing self-sputtering with a high ionization rate

S.Shingubara, A.Sano, H.Sakaue, T.Takahagi, Y.Horiike, Z.Radzimski, Posadowski

Mat.Res.Soc.Proc.   vol.427 , pp.185-192.   1996年

Study on Adsorption Behavior of Organic Contaminations on Silicon Surface by Gas Chromatography/Mass Spectrometry

T.Takahagi, S.Shingubara, H.Sakaue, K.Hoshino, H.Yashima

Jpn.J.Appl.Phys.   vol. 35 pp.L818-821.   1996年

Resistance Oscillations Induced by a Direct Current Electromigration

S.Shingubara, K.Fujiki, A.Sano, K.Inoue, H.Sakaue, Y.Horiike

Jpn.J.Appl.Phys.   vol.34 pp.1030-1036.   1995年

Measurement of Fluorocarbon Radicals Generated from C4F8/H2 Inductively Coupled Plasma: Study on SiO2 Selective Etching Kinetics

K.Kubota, H.Matsumoto, H.Shindo, S.Shingubara, Y.Horiike

Jpn.J.Appl.Phys.   34 , pp.2119-2124.   1995年

Interaction of a Void and a Grain Boundary under a High Electric Current Stress Employing Three Dimensional Molecular Dynamics Simulation

Shoso Shingubara, Isao Utsunomiya, Takayuki Takahagi

Applied Surface Science,   91 pp.220-226.   1995年

Molecular dynamics simulation of behaivor of a void due to electromigration in an Al interconnection

S.Shingubara, I.Utsunomiya, T.Fujii

Electronics and Communication in Japan, Part 2,   78 pp.82-95.   1995年

Sustained Self-Sputtering of Copper Film Employing DC Magnetron Source

S.Shingubara, A.Sano, I.Utsunomiya, Y.Horiike, Z.J.Radzimski, W.N.Posadowski

MRS Conference Proceedings,   ULSI-IX p.87-94.   1994年

Electromigration Characteristics of Cu-Al Precipitate in AlCu Interconnection

Shoso Shingubara, Hiroyuki Nishida, Hiroyuki Sakaue, Yasuhiro Horiike

Jpn.J.Appl.Phys.   Vol. 33 pp. 3860-3863.   1994年

Migration Problems in Submicron Metal Interconnections

SHINGUBARA Shozo

Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,   vol.14B pp.1317-1322.   1994年

Vertical and Lateral Hole Aluminum Filling Characteristics Employing ECR Al Sputtering with High Magnetic Field

S.Shingubara, N.Morimoto, S.Takehiro, Y.Matsui, I.Utsunomiya, H.Shindo, Y.Horiike

Appl.Phys.Lett.   vol.63, pp.737-739.   1993年

Submicron SiO2 Hole Filling Characteristics Employing ECR Al Sputtering with High Magnetic Field

N.Morimoto, S.Takehiro, Y.Matsui, I.Utsunomiya, H.Shindo, S.Shingubara, Y.Horiike

Mat. Res.Soc.Conf.Proc.   ULSI-VIII pp.257-266.   1993年

Digital Etching Study and Fabrication of Fine Si Lines and Dots

J.Yamamoto, T.Kawasaki, H.Sakaue, S.Shingubara, Y.Horiike

Thin Solid Films,   225 pp.124-129.   1993年

Electromigration in a Single Crystalline Submicron Width Aluminum Interconnection

Shoso Shingubara, Yasushi Nakasaki, Hisashi Kaneko

Applied Physics Letters   58, pp. 42-44.   1991年

Electromigration-Induced Abrupt Changes in Electrical Resistance Associated with Void Dynamics in Aluminum Interconnections

Shoso Shingubara, Hisashi Kaneko, Makoto Saitoh

J.of Applied Physics   69 pp.207-212.   1991年

Sputtering of Aluminum Film Using Microwave Plasma with High Magnetic Field

Shinobu Takehiro, Norimasa Yamanaka, Haruo Shindo, Shoso Shingubara, Yasuhiro Horiike

Jpn.J.Appl.Phys.,   vol.12B pp. 3657-3661.   1991年

Low Energy Silicon Etching Technologies

Horiike, T.Hashimoto, K.Asami, J.Yamamoto, Y.Todokoro, H.Sakaue, S.Shingubara

MICROELECTRONIC ENGINEERING,   13, pp. 417-424.   1991年

Transition process from one celled vortex to two celled vortex

S.Shingubara, K.Hagiwara, Y.Tchuchiya, T.Kawakubo

Fluid Dynamics Research ,   vol.3 pp. 219-225.   1988年

Vortices around a Sinkhole : Phase Diagram for One-celled and Two-Celled Vortices

S.Shingubara, K.Hagiwara, R.Fukushima, T.Kawakubo

J.Phys.Soc.Jpn. ,   vol.57 pp.88-94.   1988年

Formation of Vortices around a Sinkhole

S.Shingubara, T.Kawakubo

J.Phys.Soc.Jpn.   vol.53 p.1026-1030.   1984年

Coherent Structure Formation of Vortex Flow around a Sink

T.Kawakubo, S.Shingubara, Y.Tsuchiya

J.Phys.Soc.Jpn.   vol.52 Suppl. pp.143-146.   1983年

自己組織化ナノホールを用いた超高密度磁気記録

新宮原 正三

日経ナノテク記事  2005年11月 

塗工・成膜における密着・接着性の制御とその評価

新宮原 正三（ 担当： 編集）

電解・無電解めっきにおける銅製膜・配線の形成と密着性向上法 技術情報協会  2005年5月 

Magnetic conductive filament formed in the ReRAM device with ferromagnetic electrode

Hayato Yoshida, Tomohiro Shimizu, Takeshi Ito, Shoso Shingubara

PRIME2016  2016年10月 

lectroless plating of diffusion barrier films on SiO2 and evaluation of film characteristics

Atsushi Hirate, Yuto Miyachi, Kohei Ohta, Tomohiro Shimizu, Takeshi Ito, Shoso Shingubara

PRIME2016  2016年10月 

All-Wet TSV Fabrication Using Electroless Plated Barrier and Cu Seed Layers with Pd Nanoparticle Catalyst INVITED PRESENTATION

Shingubara Shoso, Inoue Fumihiro

PRIME2016  2016年10月 

Oxidation of CuSn alloy nano-tree and application for gas sensors

N. Kaneko, T. Shimizu, T. Ito, Y. Tada, S. Shingubara

PRIME2016  2016年10月 

Fabricating a QCM Device with the Nanostructures Using the AAO Template

Naoto Asai, Takeshi Ito, Tomohiro Shimizu, Shoso Shingubara

PRIME2016  2016年10月 

Electrodeposited ZnO thin film on twin sensor QCM for sensing of ethanol at room temperature

Ito, Takeshi, Fujii, Yudai, Yamanishi, Noriyoshi, Shimizu, Tomohiro, Shingubara, Shoso

30th Eurosensors Conference  2016年9月 

AAO鋳型を用いた制御可能なナノ構造を有するQCMの創製

浅井直人, 伊藤 健, 清水 智弘, 新宮原正三

第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

TSVバリア・シード層の無電解めっき形成及びCu拡散バリア性の評価

平手 惇史, 宮地 悠人, 太田 晃平, 伊藤健, 清水 智弘, 新宮原正三

MES2016  2016年9月 

陽極酸化アルミナ基板を用いたナノ多孔質構造バイオセンサー

松田裕貴, 浅井直人, 清水 智弘, 新宮原正三, 伊藤 健

第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

磁性体電極を用いた抵抗変化メモリ素子におけるスイッチング特性及び磁気抵抗効果の 評価

吉田 勇人, 伊藤 大介, 清水 智弘, 伊藤 健, 新宮原正三

第80回半導体集積回路シンポジウム  2016年8月 

Formation of Si moth-eye structures using 2-step metal assisted chemical etching

Tomohiro Shimizu, Koichi Takase, Takeshi Ito, Shoso Shingubara

13th International Conference on Nanoscience and Nanotechnologies(NN16)  2016年7月 

Fabrication of Vertical Cu2ZnSnS4/Mo/Si Nanocylinder Arrays Using a Patterned Si Nanowire Arrays Template

Chonge Wang, Tomohiro Shimizu, Shoso Shingubara

EU PVSEC2016  2016年6月 

クマゼミの羽が持つ機能性ナノ表面とその模倣

伊藤 健, 田中琢望, 清水 智弘, 新宮原正三

第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

CuSnナノツリー酸化物の形成と電気伝導特性評価

金子直人, 清水 智弘, 伊藤健, 夛田芳広, 田中秀吉, 新宮原正三

電気化学会春季大会  2016年3月 

CuSn合金ナノツリーの形成とガスセンサ応用

和田卓十, 金子直人, 夛田芳宏, 清水智弘, 伊藤健, 新宮原正三

電気化学会第84回大会  2016年3月 

NiWB上への無電解Cuめっき膜の形成と評価

井芹崇樹, 清水智弘, 伊藤健, 新宮原正三

電気化学会第84回大会  2016年3月 

SiO2上への無電解Co合金めっき膜の形成と膜質の評価

平手 惇史, 宮地 悠人, 太田 晃平, 清水 智弘, 新宮原正三, 田中秀吉

電気化学会春季大会  2016年3月 

ナノシリンダー型太陽電池の作製とプロセスの検討

西田 智彦, 武 衝, 西田 光佑, 清水 智弘, 伊藤 健, 新宮原正三

電気化学会春季大会  2016年3月 

二段階めっき法で作製した太陽電池材料Cu2ZnSnS4の光応答特性評価

吉川圭太, 西田智彦, 清水智弘, 高瀬浩一, 田中秀吉, 伊藤健, 新宮原正三

電気化学会第84回大会  2016年3月 

陽極酸化された金電極を有するQCM(ブラックQCM)の作製

浅井直人, 清水 智弘, 新宮原正三, 伊藤 健

電気化学会83回大会  2016年3月 

Opto-electronic properties of Cu2ZnSnS4 films prepared using electroplating and CS2 sulfurization process

Tomohiro Shimizu, Kosuke Nishida, Tomohiko Nishida, Koichi Takase, Chonge Wang, Shukichi Tanaka, Takeshi Ito, Shoso Shingubara

EU PVSEC2016  2016年 

CuSn合金ナノツリー酸化物の形成と伝導特性評価

和田卓十, 金子直人, 夛田芳広, 清水智弘, 伊藤健, 新宮原正三

2016年秋 応用物理学会学術講演会  2016年 

Highly adhesive displacement plated Cu seed on CoWB barrier for all-wet TSV fill process

Shoso Shingubara, Kohei Ohta, Fumihiro Inoue, Takeshi Itoh, Tomohiro Shimizu

MAM 2016  2016年 

Antibacterial characteristics of Si nano-pillar array

Ito, Takeshi, Nakade, Kazuki, Asai, Naoto, Shimizu, Tomohiro, Shingubara, Shoso

2016 IEEE 16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY (IEEE-NANO)  2016年 

Switching and Magnetoresistance Characteristics

H. Yoshida, D. Itou, T. Shimizu, T. Ito, S. Shingubara

28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)  2015年11月 

Fabrication and optical property of metal nanowire arrays embedded in anodic porous alumina membrane

Takase, Kouichi, Shimizu, Tomohiro, Sugawa, Kosuke, Shingubara, Shoso

28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)  2015年11月 

Oxidation of CuSn alloy nanotree and application for gas sensors

Kaneko, Naoto, Shimizu, Tomohiro, Tada, Yoshihiro, Shingubara, Shoso

28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)  2015年11月 

Highly adhesive displacement plated Cu seed layer for all-wet TSV fill process

Kohei Ohta, Fumihiro Inoue, Tomohiro Shimizu, Shoso Shingubara

228th ECS Meeting  2015年10月 

Resistance switching phenomenon associated with anisotropic magnetoresistance of the ReRAM device with ferromagnetic electrodes

D. Ito, H. Yoshida, T. Shimizu, S. Shingubara

228th ECS Meeting  2015年10月 

Fabrication of nanocone arrays by two step metal assisted chemical etching method

Shimizu, Tomohiro, Tanaka, Norihiro, Tada, Yoshihiro, Shoso Shingubara

International Conference of Micro and Nanofabrication  2015年9月 

Cu-Sn合金ナノツリーの形成とそれを用いた酸化物形成

金子直人, 新宮原正三, 清水 智弘, 夛田芳広

第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

SiO2上への無電解CoWPめっき膜の形成と膜質の評価

平手 惇史, 宮地 悠人, 太田 晃平, 清水 智弘, 新宮原正三

MES 2015  2015年9月 

磁性体電極を用いた抵抗変化メモリ素子におけるスイッチング特性及び磁気抵抗効果の 評価

吉田 勇人, 伊藤 大介, 清水 智弘, 伊藤 健, 新宮原 正三

第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

Fabrication of nanocone arrays by two step metal assisted chemical etching method

Tomohiro Shimizu, Norihiro Tanaka, Yoshihiro Tada, Yasuhiro Hara, Noriaki Nakamura, Junichi Taniuchi, Koichi Takase, Takeshi Ito, Shoso Shingubara

MNE 2015  2015年9月 

SiO2上への無電解NiWPめっき膜の形成と膜質の評価

宮地 悠人, 平手 惇史, 太田 晃平, 清水 智弘, 新宮原正三

MES 2015  2015年9月 

All-wet TSV filling with highly adhesive displacement plated Cu seed layer

Ohta, Kohei, Hirate, Atsushi, Miyachi, Yuto, Shimizu, Tomohiro, Shingubara, Shoso

IEEE International 3D Systems Integration Conference (3DIC)  2015年8月 

Fabrication of the solar-blind photodetector based on NixMg1-xO films by radio-frequency sputtering

Nishitani, H, Ohta, K, Inada, M, Shimizu, T, Shingubara, S

IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)  2015年6月 

Temperature dependence of magnetoresistance characteristics of the on-state of resistive random access memory with ferromagnetic electrode

Ito, Daisuke, Hamada, Yoshihumi, Otsuka, Shintaro, Shimizu, Tomohiro, Shingubara, Shoso

IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)  2015年6月 

Effect of additive on the formation of CuSn Alloy nano-trees formed with DC Electroplating

S. Shingubara, T. Shimizu, N.Kaneko, Y.Tada

227th ECS Meeting  2015年5月 

Temperature dependence of magnetoresistance characteristics of the on-state of resistive random access memory with ferromagnetic electrode

Daisuke Ito, Yoshihumi Hamada, Shintaro Otsuka, Tomohiro Shimizu, Shoso Shingubara

IMFEDK 2015  2015年5月 

CuSn合金ナノツリー形成におけるPEG添加効果

金子直人, 清水 智弘, 夛田芳広, 田中秀吉, 新宮原正三

電気化学会82回大会  2015年3月 

Auナノ粒子を用いたSiナノコーンの形成と反射率特性の評価

田中規寛, 近藤彰人, 清水 智弘, 新宮原正三

第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月 

All-wet TSV filling with highly adhesive displacement plated Cu seed layer

Kohei Ohta, Fumihiro Inoue, Tomohiro Shimizu, Shoso Shingubara

3DIC Conference 2015  2015年 

Suppression of switching voltage variation by controlling filament formation in In/porous alumina/Al resistive change random access memory

Tanimoto, Yusuke, Otsuka, Shintaro, Shimizu, Tomohiro, Shingubara, Shoso

27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)  2014年11月 

Nitridation of Si surface at the bottom of submicron trench using nitrogen neutral beam

Hara, Yasuhiro, Shimizu, Tomohiro, Shingubara, Shoso

27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)  2014年11月 

Oxide thickness dependence of resistive switching characteristics for Ni/HfOx/Pt resistive random access memory device

Ito, Daisuke, Hamada, Yoshihumi, Otsuka, Shintaro

27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)  2014年11月 

凝集構造を利用したSi ナノワイヤ配列の光学特性制御

新宮原 正三

第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

Temperature Dependence of Resistance of Conductive Nano-filament

新宮原 正三

第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

Enhancement of light absorption using bunched Si nanowire arrays

新宮原 正三

Material Research Society fall meeting 2013  2013年12月 

Niナノワイヤを用いた抵抗変化型メモリの形成と評価

新宮原 正三

第33回表面科学学術講演会  2013年11月 

Study on conductive filaments formed in ReRAM devices through temperature dependence of electrical transport properties

新宮原 正三

26th International Microprocesses and Nanotechinology Conference  2013年11月 

Study on collective morphology dependence of optical reflectance

新宮原 正三

26th International Microprocesses and Nanotechinology Conference  2013年11月 

メタルアシストエッチングと陽極酸化アルミナを用いた規則配列Si ナノワイヤの形成と反射率特性評価

新宮原 正三

2013年精密工学会  2013年11月 

Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin films by sulfurization of electrodeposited CuZn/CuSn precursor layers with CS2

新宮原 正三

23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2013年10月 

Temperature Dependence of Resistance of Conductive Nano-filament Formed in Ni/NiOx/Pt ReRAM

新宮原 正三

ADMETA Plus 2013: Asiasn Session  2013年10月 

Highly conformal and adhesive electroless barrier and Cu seed formation

新宮原 正三

IEEE 3DIC-2013  2013年10月 

Effect of confining filaments on the current – voltage characteristics of resistive change memory by using anodic porous alumina

新宮原 正三

26th International Microprocesses and Nanotechinology Conference  2013年10月 

高密着性無電解めっきバリア膜の検討とTSVプロセスへの応用

新宮原 正三

MES(Microelectronics Symposium)2013  2013年9月 

Fabrication and absorption properties of ordered Si nanowire arrays using porous aluminum mask

新宮原 正三

International Porous Powder Materials 2013  2013年9月 

S i ナノワイヤ配列の光学特性の凝集度による相違

新宮原 正三

第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin films by sulfurization of electrodeposited CuZn/CuSn precursor layers with CS2

新宮原 正三

第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

金属酸化膜中に形成された導電性フィラメントの抵抗温度依存性

新宮原 正三

第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

Enhancement of light absorption using bunched Si nanowire arrays

新宮原 正三

The 2013 International Meeting for Future of Electron Device  2013年5月 

CuSn合金ナノツリー構造体の電解めっき形成と評価

新宮原 正三

電気化学会第81回大会  2013年3月 

窒素中性粒子ビームによるSi表面の窒化

新宮原 正三

第61回応用物理学会春季学術講演会  2013年3月 

自己集合ポリスチレン球とメタルアシストエッチングを用いた

新宮原 正三

第61回応用物理学会春季学術講演会  2013年3月 

Direct Electroless Cu Seed Fabrication on Vapor Deposited Polyimide in Through-Si Via

INOUE F, SHIMIZU T, ARIMA R, MIYAKE H, SHINGUBARA S

MAM 2012  2013年3月 

自己組織テンプレートとメタルアシストエッチング法を用いた規則配列Siナノワイヤ形成と評価

山口 卓也, 清水 智弘, 夛田 芳広, 新宮原 正三

応用物理学会  2013年3月 

ガスセンサ応用に向けた銅錫酸化物ナノツリー構造の形成と評価

夛田 芳広, 田中 良典, 清水 智弘, 新宮原 正三

応用物理学会  2013年3月 

電気化学処理を施した硫酸陽極酸化アルミナを用いた抵抗変化素子の電流電圧特性

谷本 優輔, 古屋 沙絵子, 大塚 慎太郎, 清水 智弘, 新宮原 正三, 渡辺 忠孝, 高野 良紀, 高瀬 浩一

応用物理学会  2013年3月 

無電解めっき法を用いた高アスペクト比TSV へのCu シード層形成

井上 史大, 清水智弘, ハロルド・フィリップ, 新宮原正三

応用物理学会シリコンテクノロジー分科会  2013年3月 

VLS法によるナノワイヤ成長 拡散抑制層追加による成長の改善

古藤 誠, 清水 智弘, 新宮原 正三

応用物理学会  2013年3月 

高アスペクト比TSVへの無電解めっき皮膜形成に向けたPdナノ粒子触媒吸着

井上 史大, 清水 智弘, 三宅 浩志, 有馬 良平, 伊藤 俊彦, 關 洋文, 篠崎 夕子, 山本 智彦, 新宮原正三

応用物理学会  2013年3月 

Fabrication of Cu2ZnSnS4 nanowire arrays using electroplating with nanohole template

WANG C, TANAKA Y, TERUI T, TANAKA S, SHIMIZU T, SHINGUBARA S

PVSEC 2012  2012年11月 

Temperature dependence of resistance of conductive filament formed by dielectric breakdown

S. Otsuka, T. Kato, T. Kyomi, Y. Hamada, Y. Tada, T. Shimizu, S. Shingubara

ＭＮＣ２０１２  2012年11月 

Control of crystal orientation and diameter of Si nanowire using anodic aluminum oxide template

T.shimizu, S.Shingubara

MNC2012  2012年11月 

Fabrication of nanostructured Cu2ZnSnS4 using electrodeposition with AAO template

Y.Tanaka, C.Wang, A.Kondo, T.Terui, S.Tanaka, T.Shimizu, S.Shingubara

ＭＮＣ２０１２  2012年11月 

Electrical properties of metal oxide nanowire formed in anodic aluminum oxide template

S.Furuya, S.Otsuka, T,Shimizu, S.Shingubara, T.Watanabe, Y.Yakano, K.Takase

ＭＮＣ２０１２  2012年11月 

Large Resistive Switching Phenomenon Induced by Magnetic Field in Nano Conduction Path

KATO T, SHIMIZU T, OTSUKA S, KYOMI T, SHINGUBARA S

PriME 2012  2012年10月 

金属触媒とポーラスアルミナを用いた垂直シリコンナノワイヤ配列の形成

清水 智弘, 夛田 芳裕, 山口 卓也, 新宮原 正三

マイクロ・ナノ工学研究会  2012年10月 

Improvement of adhesion strength of electroless barrier layer on SiO2 and control of deposition profile in a high aspect ratio TSV

NISHIZAWA S, INOUE F, ARIMA R, SHIMIZU T, SHINGUBARA S

ADMETA PLUS 2012  2012年10月 

Fabrication and evaluation of nanowire-based resistive switching device using self-organized template

T.Kyomi, S.Otsuka, Y.Takeda, Y.Sumita, T.Shimizu, S.Shingubara

ADMETA PLUS 2012  2012年10月 

Control of the Morphology of Si Nanostructure Using Single-Step Metal Assisted Etching

YAMAGUCHI T, SHIMIZU T, INOUE F, WANG C, OTSUKA S, TADA Y

PRiME 2012  2012年10月 

Electric Conduction Mechanism of Resistive Switching Memory using Anodic Porous Alumina

OTSUKA S, SHIMIZU T, SHINGUBARA S, IWATA N, WATANABE T, TAKANO Y

PRiME 2012  2012年10月 

Bath Stability Monitoring for Electroless Cu Seed Formation in High Aspect Ratio TSV”

Inoue F, Philipsen H, S. Armini, A. Radisic, Y. Civale, P. Leunissen, S,Shingubara

Prime 2012  2012年10月 

Control of Adhesion Strength and TSV Filling Morphology of Electroless Barrier Layer

ARIMA R, INOUE F, MIYAKE H, SHIMIZU T, SHINGUBARA S

PRiME 2012  2012年10月 

Electrical properties of metal oxide nanowire formed in anodic aluminum oxide template

SHIMIZU T, KYOMI T, OTSUKA S, TAKASE K, SHINGUBARA S

ICPS 2012  2012年9月 

SiO2上の無電解バリアメタル膜の密着性向上の検討

西沢 正一郎, 井上 史大, 有馬 良平, 清水智弘, 新宮原 正三

応用物理学会  2012年9月 

Fabrication of vertical Cu2ZnSnS4 nanowire arrays using anodic aluminum oxide templates

王 崇娥, 田中 良典, 照井 通文, 田中 秀吉, 清水 智弘, 新宮原 正三

応用物理学会  2012年9月 

自己組織テンプレートを用いたナノワイヤ抵抗変化素子の形成と評価

京見 拓也, 大塚 慎太郎, 武田 佳樹, 清水 智弘, 新宮原 正三

応用物理学会  2012年9月 

Collective electronic transport in Au10 clusters

M.Inada, K. Fukaya, T. Ogawa, H. Kawasaki, T.shimizu, S. Shingubara, T.Saitoh

ICPS 2012  2012年9月 

Au10クラスターの電子輸送特性

小川 智矢, 深谷 一樹, 清水 智弘, 新宮原 正三, 齊藤 正, 稲田 貢

応用物理学会  2012年9月 

Novel Seed Layer Formation Using Direct Electroless Copper Deposition on ALD-Ru Layer for High Aspect Ratio TSV

F. Inoue, H. Philipsen, A. Radisic, S. Armini, Y. Civale, P. Leunissen, S. Shingubara

IEEE IITC 2012  2012年6月 

Electroless Deposition of Barrier and Seed Layers for Via Last Cu-TSV Metalization

F.Inoue, T.Shimizu, R.Arima, S.Shingubara

IEEE IMFEDK 2012  2012年5月 

Fabrication of an ordered anodic aluminum oxide pore arrays with an interpore distance smaller than the nano-indentation pitch formed by ion beam etching

C.Wang, K.Saitoh, T.Shimizu, S.Tanaka, Y.Ishida, S.Shingubara

IEEE IMFEDK 2012  2012年5月 

All-wet Cu-filled TSV Process Using Electroless Co-alloy Barrier and Cu Seed

INOUE F, SHIMIZU T, ARIMA R, MIYAKE H, SHINGUBARA S

IEEE ECTC 2012  2012年5月 

Evaluation of morphology and crystal structure of Si nanowires prepared by single-step metal assisted etching

T.Yamaguchi, T.shimizu, F.Inoue, C.Wang, M.Inada, T.Saitoh, S.Shingubara

IEEE IMFEDK 2012  2012年5月 

Application of electroless plating for the formation of Cu-filled TSV

Shingubara S

MSP NEX Symposium 2012  2012年4月 

“Fabrication of an array of Ni/NiO nanowire-ReRAM using AAO template on Si”

Y.Sumita(D, S.Minoguchi(B, S. Otsuka(日, K. Takase, T.Shimizu, S.Shingubara

2011年11月 

“Electroless Barrier Deposition with Pd Nanoparticle Catalyst in High Aspect Ratio TSV

H. Miyake(D, F. Inoue(D, R. Arima(D, T. Shimizu, S. Shingubara

2011年10月 

“Oxide Thickness Dependence of a Large Magnetoresistance Switching Phenomenon in a Ferromagnetic Nano-conduction Path”

K. Shimomura, T. Kato(D, T. Iwakura(D, T. Shimizu, S. Shingubara

2011年10月 

“Fabrication of an Ordered Anodic Aluminum Oxide Pore Arrays with an Interpore Distance smaller than the Nano-indentation Pitch formed by Ion Beam Etching”

C. Wang(D, Y. Ishida(D, Q. Wang(D, T. Yamaguchi(B, S. Tanaka(D, K. Saitoh(NICT, T. Shimizu, S. Shingubara

2011年10月 

“Additional Electrochemical Treatment Effects on the Switching Characteristics of Anodic Aluminum Oxide ReRAM”,,

S. Otsuka, R. Takeda, S. Furuya, H. Miyake(D, T. Shimizu, S. Shingubara, N. Iwata(日, T. Watanabe(日, Y. Takano, K. Takase

2011年10月 

“Adsorption of Pd Nanoparticle Catalyst for Conformal Electroless Plating of Barrier Layer in a High Aspect Ratio TSV”

R. Arima(D, F. Inoue(D, H. Miyake(D, T. Shimizu, T. Ito(東レリサーチセンター, H. Seki(東レリサーチセンター, Y. Shinozaki(東レリサーチセンター, T. Yamamoto(東レリサーチセンター, S. Tanaka(NICT, T.Terui(NICT, S.Shingubara

2011年9月 

無電解バリアメタルを用いたオールウエットCu－TSVの形成と評価

有馬良平, 三宅浩志, 井上史大, 清水智弘, 新宮原正三

2011年9月 

“Resistive switching characteristics of NiO/Ni nanostructure”

S. Otsuka(日, S. Furuya(日, R. Takeda, T. Shimizu, S. Shingubara, T. Watanabe(日, Y. Takano, K. Takase

2011年9月 

電解めっきによるSn-Cu系合金めっき膜の形成と膜特性評価

西村清賢, 井上史大, 清水智弘, 照井通文(NICT, 新宮原正三

2011年9月 

“Formation of a fine pitch nanohole array in AAO film on Si substrate by combination of the pattern transfer with IBE and the self-organizing anodic oxidation”

T. Shimizu, Y. Ishida(D, S. Shingubara

2011年9月 

“All-Wet TSV Process Using Electroless Barrier and Seed Layers with Pd Nanoparticle Catalyst”

H. Miyake, F. Inoue(D, R. Arima(D, T. Shimizu, S. Shingubara

ISE 2011  2011年8月 

CU2ZNSNS4 THIN FILMS FORMED BY SINGLE-STEP ELECTRODEPOSITION METHODS FOR ABSORBER LAYER

M. Jeon, F. Inoue(D, T. Shimizu, S. Shingubara

2011年7月 

“Huge magnetoresistance switching in a ferromagnetic nano-conduction-path formed by dielectric breakdown”

T. Shimizu, Y. Shiotani(D, K. Shimomura(D, S. Shingubara

2011年6月 

“Resistance Switching Phenomenon in Nano-Conduction Path formed by dielectric breakdown”

T. Shimizu, Y. Shiotani(D, K. Shimomura(D, S. Shingubara

2011年5月 

“Control of crystalline orientation and diameter of Si nanowires based on VLS method and electrodeposition of catalyst using AAO template”,

Q. Wang(D, T. Shimizu, Shingubara

2011年5月 

“Characteristics of AAO template-assisted Cu2ZnSnS4 (CZTS) nanowires synthesized by potential pulsed electrodeposition method”

M. Jeon, F. Inoue(D, T. Shimizu, S. Shingubara

2011年5月 

“Huge Resistance Switching Induced by Magnetic Field in a Ferromagnetic Nano-Conduction Path”

T. Shimizu, Y. Shiotani(D, K. Shimomura(D, S. Shingubara

2011年4月 

“Control of Crystal Orientation of Epitaxial Si nanowires on Si Substrate Using AAO template”

T. Shimizu, Q. Wang(D, C. Wang(D, F. Inoue(D, M. Koto(キヤノン, M. Jeon, S. Shingubara

2011年4月 

“All-Wet Cu-TSV Fabrication Process Using Electroless Barrier and Seed Layers”

R. Arima, F. Inoue(D, T. Yokoyama(D, H. Miyake(D, S. Tanaka(NICT, T. Terui(NICT, T.Shimizu, S. Shingubara

2011年4月 

AAOテンプレートを用いたAu/Ag/Auナノワイヤの形成と特性評価

綱島祐人, 井上史大, 清水智弘, 大矢裕一, 田中秀吉, 新宮原正三

2011年3月 

Si基板上に形成したCoナノワイヤ配列の微細化とその磁気特性評価

田中良典, 青木和茂, 照井通文(NICT, 清水智弘, 新宮原正三

2011年3月 

3次元LSIに向けた無電解バリア膜の形成及び密着性評価”

有馬良平, 井上史大, 横山巧(D, 三宅浩志, 清水智弘, 新宮原正三

2011年3月 

Fabrication of Various Nanowires Using AAO Template for Preparation of Building Blocks of Highly Functional Nanodevices and Sensors

shoso shingubara

2010年12月 

Reduction of pitch of nanohole array by self-organizing anodic oxidation after pre-patterning with IBE on the surface of Al film

Y.Ishida, S.Tanaka, T.Shimizu, S.Shinguhara

2010年12月 

Large magnetoresistance observed in a nano-conduction path formed with dielectric breakdown of SiO2 connected with ferromagnetic layer

Y.Shiotani, K.Shimomura, T.Shimizu, S.Shingubara

2010年12月 

Preparation of Ultra High Density Magnetic Nanowire Arrays beyond 1 Tera Bit / Inch2 on Si Substrate Using AAO Template

K.Aoki, T.Shimizu, S. Shingubara, Y.Tanaka, T.Terui

2010年11月 

Change in magnetoresistance property depending on the state of Ni-oxide memory device

K.Suzuki, Y.Shiotani, Y.Sumita, T.Shimizu, S.Shingubara

2010年11月 

Large magnetoresistance switching phenomena in a nano-conduction path formed with dielectric breakdown

Y.Shiotani, K.Shimomura, T.Shimizu, S. Shingubara

2010年11月 

All-Wet Fabrication Technology for High Aspect Ratio TSV Using Electroless Barrier and Seed Layers

Fumihiro Inoue, Takumi Yokoyama, Hiroshi Miyake, Shukichi Tanaka, Toshifumi Terui, Tomohiro Shimizu, Shoso Shingubara

2010年11月 

Conformal Electroless Deposition of Barrier and Cu Seed Layers for Realizing All-Wet TSV Filling Process

Shoso Shingubara, Fumihiro Inoue, Takumi Yokoyama, Shokiti Tanaka, Toshifumi Terui, Tomohiro Shimizu

2010年10月 

Improvement in the deposition profile of electroless plated barrier on TSV sidewall and evaluation of the barrier film properties

Takumi Yokoyama, Fumihiro Inoue, Shokiti Tanaka, Toshifumi Terui, Shoso Shingubara

2010年10月 

Formation of Electroless Barrier Layer Using Au Nanoparticles Catalyst for All-Wet TSV-Fill Technology

Fumihiro Inoue, Takumi Yokoyama, Shokiti Tanaka, Toshifumi Terui, Shoso Shingubara, Tomohiro Shimizu

2010年10月 

Formation and Evaluation of Electroless Barrier Films for High Aspect Ratio Through-Si Vias

H. Miyake, F. Inoue, T. Yokoyama, T. Shimizu, S. Tanaka, T. Terui, S.Shingubara

2010年9月 

金ナノ粒子を触媒とした無電解Ni，Co合金めっき膜の形成とTSVへの応用の検討

三宅 浩志, 井上 史大, 横山 巧, 清水 智弘, 新宮原 正三

2010年9月 

ＶＬＳ法によるシリコンナノワイヤ成長 イールドの改善

古藤 誠, 石田康晴, 清水智弘, 新宮原 正三

2010年9月 

絶縁破壊により形成された微細導通経路における抵抗揺らぎ特性

下村 耕平, 塩谷 裕一, 清水智弘, 新宮原 正三

2010年9月 

電解めっき形成Sn/Cu積層膜の界面合金層の評価

西村清賢, 井上史大, 横山巧, 清水智弘, 新宮原正三

2010年9月 

無電解めっき形成バリア・シード層を用いた高アスペクト比TSV形成

井上 史大, 横山 巧, 三宅 浩志, 清水 智弘, 新宮原 正三

2010年7月 

The Effect of Electroless Barrier Layer Deposition on SiO2 with Au Nano Particles in a Through Si Via

F. Inoue, T. Yokoyama, H. Miyake, S. Tanaka, K. Yamamoto, S. Shingubara

2010年6月 

Study of Electroless Plating for Low Resistance 3D Interconnect

F. Inoue, T. Yokoyama, H. Miyake, S. Tanaka, K. Yamamoto, S. Shingubara

2010年5月 

Reduction of the Pitch of the Nano-Hole Array by Self-Organizing Anodic Oxidation After Nano-Imprinting

S. Maruo, T. Yamashita, M. Nakao, T.Shimizu, S. Shingubara

2009年9月 

Ni-アルミナ・ナノコンポジットにおける巨大磁気抵抗スイッチング現象

塩谷裕一, 山西卓, 村上勝久, 清水智弘, 新宮原正三

2009年9月 

配線技術の課題と展望

新宮原 正三

2009年9月 

微小Niショットキー接合の形成と磁気伝導特性評価

鈴木克哉, 山西卓, 塩谷裕一, 新宮原正三

2009年9月 

Cu Filling Characteristics in Through-Si Via Holes by Electroless Plating with Addition of Inhibitors

S. Shingubara, F. Inoue, Z. Wang, K. Yamamoto, S. Tanaka

2009年8月 

Enormous Magneto-resistance Switching Observed in Ni-diffused Anodic Aluminum Oxide

S.Yamanishi, Y.Shiotani, K.Murakami, T.Shimizu, S. Shingubara

2009年7月 

Study of Low Resistance TSV Using Electroless Plated Copper and Tungsten-alloy Barrier

F.Inoue, T.Yokoyama, S.Tanaka, K.Ymamoto, M.Koyanagi, T.Fukushima, Z.Wang, S.Shingubara

2009年6月 

ENORMOUS RESISTANCE SWITCHING PHENOMENA OBSERVED IN NICKEL-ALUMINIUM-OXIDE NANOCOMPOSITE

S.Yamanishi, Y.Siotani, K.Murakami, T.Shimizu, S. Shingubara

2009年5月 

Cu Fill Properties in the High Aspect Ratio Through-Si Via Hole by Electroless Plating

F. Inoue, K. Yamamoto, S. Tanaka, Z. Wang, S. Shingubara

2009年4月 

無電解めっきによるNiW合金／Cu積層膜の形成と評価

横山巧, 上田淳貴, 井上史大, 新宮原正三

2009年3月 

Fabrication of Metal Nanowires Sandwiched with Gold for Self-Assembling of NW sensors

M. Yamanaka, K.Aoki, Ishida, Y. Ohya, S. Tanaka, T.Shimizu, S. Shingubara

2008年12月 

Synthesis of size-controlled metal nanowires toward self-assembling of NW networks

M.Yamanaka, H.Mori, Y.Ohya, S.Tanaka, K.Ijiro, S.Shingubara

2008年10月 

Realizing 1/√3 pitch of the alumna nano-hole array by self-organizing anodic oxidation after nano-imprinting

S. Maruo, T. Yamashita, M. Nakao, T.Shimizu, S. Shingubara

2008年10月 

Aspect Ratio Dependence of M-H Switching Characteristics of Oblong Ferromagnetic Film

H.Oka, S.Yamanishi, S.Shingubara, K.Akabane

2008年10月 

Investigations of Cu Filling in Through-Si Via Holes Using Direct Electroless Plating on CVD-W

F.Inoue, M.Koyanagi, T.Fukushima, K.Yamamoto, S.Tanaka, Z.Wang, S.Shingubara

2008年9月 

Niナノワイヤの形成と磁気伝導特性評価

山西卓, 河上茂太, 新宮原正三, 清水智弘, Max Planck Institute of Microstructure physics, Germany

2008年9月 

電圧刺激に誘起されたパターン化ゲルのBZ振動現象

白木裕介, 西河丞, 新宮原正三, 加藤直彦

2008年9月 

Fabrication and characterization of diameter controlled Ag and Ni nanowires for bio-sensing devices

S.Shingubara, T.Shimizu, N.Yamanaka

2008年9月 

Epitaxial growth of vertical group IV semiconductor nanowires on Si (100) substrate using anodic alumina template

Tomohiro Shimizu, Zhang Zhang, Xie Tian, Jo Nishikawa, Shoso Shingubara, Stephan Senz, Ulrich Gösele

2008年9月 

Bottom-up Electroless Copper Plating Technology for through Si-Via Filling

F.Inoue, K.Yamamoto, S.Tanaka, Z.Wang, S.Shingubara

2008年5月 

Reduction of nanohole pitch from that of pre-imprinted one in AAO by adjusting anodic voltage

S.Shingubara, T.Yamashita, K.Maruo, M.Nakao, T.Shimizu

2008年3月 

ナノインプリント制御によるアルミナナノホール配列のピッチ縮小に関する研究

丸尾 賢, 新宮原正三, 中尾 正史, 山下 尊史

2008年3月 

Co還元無電解めっきによる銀薄膜の形成

井上史大, 原田優作, 田中秀吉, 山本和広, 新宮原正三

2008年3月 

Detection of Interconnect Reliability Failures by Non-Biased / Biased IR-OBIRCH Method

S.Shingubara, Y.Harada, S.Nakahara, M.Kawakami, K.Koshikawa, T.Nakamura

Materials Research Society.  2008年 

BZ反応によるパターン化ゲルの振動現象

西河丞, 白木裕介, 新宮原正三, 加藤直彦

講演要旨集  2007年 

無電解銅めっきによる微細ホールのボトムアップ堆積

原田優作, 実吉要文, 奥村典昭, 新宮原正三

第17回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集  2007年 

Si基板上へのFePt膜の電解めっき形成

森裕紀, 山下尊史, 浮田真司, 松田亜弓, 新宮原正三

2007年 

インプリント法を用いた陽極酸化アルミナ・ナノホール配列の形成

山下尊史, 丸尾賢, 新宮原正三, 中尾正史, 田中秀吉

講演要旨集  2007年 

Fabrication of Nanohole Arrays in Anodized Aluminum Oxide with Gold at the bottom as templates t toward one dimensional organic nanostructures

K. Ogata, S. Shingubara, H. Yorozu, T. Nakanishi

2006年12月 

Diameter controlled CVD growth of CNTs using AAO template on Si substrate with Ni silicide catalyst

S.Shingubara, T. Ishida, T.Shimizu, T.Takahagi

2006年12月 

陽極酸化アルミナ膜におけるマイクロホールの形成現象

山下尊史, 浮田真司, 新宮原正三

2006年9月 

Diameter controlled CVD growth of CNTs using AAO template on Si substrate with Ni silicide catalyst

S.Shingubara, T. Ishida, T.Shimizu, T.Takahagi

2006年7月 

Large Negative Resistance Observed in 3-D Network of DNA and Gold Nanoparticle Formed by DNA Mediated Self-organization

S. Shingubara, Y. Fujii, M.Hosoda, T. Takahagi

2006年7月 

ポーラスアルミナナノホールを用いたCVD成長CNTの直径制御

河上茂太, 石田友幸, 清水智弘, 新宮原正三

2006年5月 

陽極酸化アルミニウムのフォトルミネッセンス特性

尾形健一, 萬宏己, 中西忠彦, 新宮原正三

2006年5月 

陽極酸化アルミナナノホールを用いた強磁性ナノロッド配列の形成と評価

西河丞, 山下尊史, 清水智弘, 石田友幸, 新宮原正三

2006年5月 

陽極酸化アルミナ・テンプレートを用いたSi基板上でのエピタキシャルCuナノドット配列の形成

清水智弘, 石田友幸, 尾形健一, 坂上弘之, 高萩隆行, 坂田修身, 新宮原正三

2006年3月 

Preparation of nano-sized template using AAO nanoholes for growth of epitaxial nanocolumn arrays

T. Shimizu, T. Ishida, H. Sakaue, T. Takahagi, O. Sakata, S. Shingubara

EPTM 2005  2005年10月 

Growth of diameter controlled CNTs by catalytic CVD using porous alumina template

T.Ishida, T.Shimizu, H.Sakaue, T.Takahagi, S.Hisada, S.Nakahara, T.Fujita, S.Shingubara

EPTM 2005  2005年10月 

陽極酸化アルミナを用いた磁性ナノロッド配列の形成と磁気特性

清水 智弘, 石田 友幸, 徐 軍, 新宮原 正三

2005年9月 

自己組織化ＡＡＯナノホール二次元配列からのＣＮＴの選択ＣＶＤ成長

石田友幸, 清水智弘, 新宮原正三

2005年9月 

自己組織化ＡＡＯナノホール配列からのＣＮＴの選択CVD成長

石田 友幸, 清水 智弘, Hao-Ting, 新宮原 正三

2005年3月 

Large resistive switching phenomenon induced by magnetic field in nano conduction path formed in SiO2

SHIMIZU T, OTUKA S, TAKASE K, SHINGUBARA S

ICM 2012 

“Study on Adhesion Properties of Electroless Barrier Formed with Pd Nanoparticle Catalyst for High Aspect Ratio TSV”

F. Inoue(D, H. Miyake(D, R. Arima(D, K. Kondo, T. Hayashi, T. Shimizu, S. Shingubara

Evaluation of crystal structure of porous Si nanowires prepared by metal assisted etching”

YAMAGUCHI T, SHIMIZU T, WANG C, WANG Q, SHINGUBARA S, KUZNETSOV A

MRS 2012 Spring Meeting